Услуги

Наименование услуги (работы)

Стоимость работ в час (без НДС), руб.

Нанесение тонких пленок

Нанесение многослойных покрытий с использованием установок магнетронного и магнетронно-ионного напыления многослойных структур

6500

Нанесение тонких пленок металлов и диэлектриков с помощью установки резистивного и электронно-лучевого испарения с холловским ионным источником Amod 206

10000

Нанесение тонкопленочных и многослойных покрытий с использованием установок магнетронного напыления (ATC 2200-VSPUTTERSYSTEM)

6400

Нанесение тонкопленочных и многослойных покрытий с использованием установок магнетронного напыления на базе ВУП-5

7500

Нанесение тонкопленочных и многослойных структур с использованием установок термического напыления на базе ВУП-5

7500

Осаждение тонких пленок в установке плазмохимического осаждения с источником индуктивно связанной плазмы PlasmaLab 80

От 10000

Осаждение тонких пленок методом атомно-слоевого осаждения на установке Picosun R-200 Advanced

15000*

Травление структур в установке плазмохимического травления и осаждения с источником индуктивно-связанной плазмы PlasmaLab 80

От 10000

Постростовая обработка структур

Быстрый термический отжиг микроструктур с использованием установки AcuThermo AW 410 System

7000

Ионно-пучковое травление, полировка и коррекция формы поверхности малогабаритными и квазипараллельными ионными пучками с использованием стенда ионно-пучкового травления

4000

Лазерная резка тонких пластин полупроводников, металлов и диэлектриков на установке SharpMark YVO4 UF 10

5500

Обработка тонкопленочных структур и подложек с использованием ионно-плазменного комплекса

5300

Подготовка подложек и очистка образцов с использованием системы очистки с помощью кислородной плазмы

4200

Травление структур в установке реактивного ионного травления и осаждения с источником индуктивно связанной плазмы PlasmaLab 80

5200*

Литография

Контактная фотолитография с использованием установки совмещения и экспонирования SUSS MJB4

6500

Лазерная литография с использованием лазерного генератора микроизображений mPG101

10000

Нанолитография с помощью остро фокусированных ионных пучков на установке Neon-40

20000

Электронная литография с использованием аппаратно-программного комплекса электронной литографии ELPHY PLUS

22000

Диагностика структуры и состава

Анализ тонких слоев методом рентгеновской рефлектометрии на дифрактометре Bruker D8 Discover

10000

Определение отклонения среза кристаллических подложек на дифрактометре Bruker D8 Discover

10000

Определение параметров многослойных зеркал с помощью рентгеновской рефлектометрии на дифрактометре X'Pert PRO MRD

8500

Послойный элементный анализ методом вторично-ионной масс-спектрометрии на установке TOF.SIМS 5-100

19000

Рентгеновский дифракционный анализ поликристаллических образцов на дифрактометре Bruker D8 Discover

10000

Рентгеновский дифракционный анализ эпитаксиальных слоев на дифрактометре Bruker D8 Discover

10000

Элементный анализ образцов с помощью энергодисперсионного рентгеновского спектрометра INCA

18000

Исследование морфологии поверхности

Анализ поверхности с помощью интерферометра белого света Talysurf CCI 2000

2000

Анализ поверхности с помощью сканирующей оптической ближнепольной микроскопии на микроскопе NTEGRA Prima

5200

Анализ рельефа поверхности методом атомно-силовой микроскопии на микроскопе СММ 2000

4000

Исследование морфологии поверхности с использованием сканирующего зондового микроскопа Solver NEXT

5500

Исследование морфологии поверхности с использованием сканирующего зондового микроскопа Solver PRO-HV

5500

Исследование формы поверхности на больших масштабах на контактном профилометре модели 130

2000

Электронная микроскопия

Анализ кристаллической структуры объектов методами высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии на микроскопе LIBRA 200 МС

20000

Анализ распределений намагниченности в тонких пленках методом лоренцевой просвечивающей электронной микроскопии на микроскопе LIBRA 200 МС

21000

Исследование состава образцов методом спектрометрии характеристических потерь электронов на микроскопе LIBRA 200 МС

21000

Морфометрический анализ образцов с помощью растровых электронных микроскопов (SUPRA 50VP, EVO 10 или NEON 40)

10000

Подготовка образцов для исследования методами просвечивающей электронной микроскопии с использованием комплекта оборудования Fischione

10000

Подготовка образцов для исследования методами растровой и просвечивающей электронной микроскопии с помощью остро фокусированных ионных пучков на установке NEON 40

12000

Оптика и спектроскопия

Измерения спектров пропускания образцов (тонкие пленки, растворы) в диапазоне 190-1100 нм на спектрометре Thermo Scientific Genesys 50

2500

Исследование дисперсионных характеристик низкоразмерных фотонных структур в геометрии диаграммы направленности со сканированием зоны Бриллюэна в к пространстве в интервале температур от 77 до 300 К

10000

Исследование люминесцентных характеристик низкоразмерных полупроводниковых и диэлектрических структур методом спектроскопии микро-ФЛ и микро-ЭЛ с высоким спектральным (до 0.01 см-1) и пространственным (до 1 мкм) разрешением в видимом и ближнем ИК диапазон

6000-12000

Исследование спектров излучения, пропускания, отражения и фотопроводимости различных структур и материалов методом фурье-спектроскопии высокого разрешения (до 0.003 см-1) в широком спектральном диапазоне (0.4 - 500 мкм) с использованием Bruker IFS 125HR

6000-10000

Люминесцентный анализ (спектроскопия фотолюминесценции, электролюминесценции и стимулированного излучения) полупроводниковых и диэлектрических структур в температурном диапазоне от 4.2 до 300 К на фурье-спектрометре Bruker Vertex 80v

9000

Люминесцентный анализ (спектроскопия фотолюминесценции, электролюминесценции и стимулированного излучения) полупроводниковых и диэлектрических структур методом Фурье-спектроскопии высокого разрешения при комнатной температуре (Т= 300 К) на спектрометре

6000

Определение параметров многослойных зеркал в диапазоне экстремального ультрафиолета и мягкого рентгена на стендах ИФМ РАН

7000

Регистрация спектров пропускания, отражения и фотопроводимости различных материалов на фурье-спектрометре Bruker Vertex 80v

6000

УСУ «Фемтоспектр»

Измерение временных характеристик фотоотклика узкозонных полупроводниковых структур

9500

Спектроскопия возбуждения фотолюминесценции ближнего ИК и видимого диапазона с перестройкой длины волны возбуждающего излучения в диапазоне от 0.45 до 1.6 мкм

6000

Спектроскопия фотолюминесценции ближнего ИК и видимого диапазона с временным разрешением до 100 пс и с пространственным разрешением до 2 мкм

5000

Измерения электрических и магнитных свойств

Измерение вольтамперных характеристик тонкопленочных структур в контролируемой инертной атмосфере перчаточного ящика Torun-2GBS-OP

5000

Измерение вольт-амперных характеристик сверхпроводящих мостиков и джозефсоновских переходов в том числе и с СВЧ воздействием

5500

Измерение магнитооптических эффектов Керра и Фарадея в тонких магнитных плёнках

5000

Измерение стационарных, импульсных и высокочастотных электрофизических характеристик полупроводниковых структур и приборов

7000

Исследование вольт-амперных, вольт-фарадных и транспортных характеристик полупроводниковых структур на стенде на базе зондовой станции SemiShare SC-6

6000

Исследование распределения намагниченности или спектров ферромагнитного резонанса методом магнитно- резонансной силовой микроскопии с использованием сканирующего зондового микроскопа Smena-PFM-OM

9000

Холловские измерения транспортных свойств полупроводниковых структур

6000