Лазерная резка тонких пластин полупроводников, металлов и диэлектриков на установке SharpMark YVO4 UF 10

Данная услуга позволяет осуществлять резку, гравировку и сквозное сверление пластин и фольг с исключительной точностью и минимальной зоной термического влияния, что предотвращает критические повреждение краев и структуры материала. Ключевыми параметрами процесса являются толщина обрабатываемого материала (до нескольких миллиметров), минимальный размер пятна лазера (порядка 30 мкм) и возможность создания сложных контуров с высокой скоростью. Идеальными объектами для обработки на такой установке являются тонкие пластины кремния, арсенида галлия, сапфира, а также текстолит и различные металлические фольги, используемые в микроэлектронике.