Высокоточная система с отверстиями заданных размеров для точного позиционирования и фиксации эпитаксиальных структур CVD-алмазов для проведения измерений
Фотография изготовленной структуры
схема эксперимента
С помощью установка прецизионной микрообработки полупроводниковых материалов «SharpMark YV04 UF 10» была изготовлена подложка для высокоточного крепления образца монокристаллического алмаза размером 4×4 мм. На алмазном кристалле методом CVD были выращены структуры p-i-n диодов к которым были сформированы контакты. Измерения электролюминисценции диодов проводилось с выводом излучения с обратной стороны через подложку для чего отверстия позиционировались точным образом под каждым из исследованных диодов.
Контактное лицо
Краев Станислав Алексеевич, Ведущий технолог отдела технологии наноструктур и приборов
(831) 417−94−96 (+202, +249)
Публикации
M.A. Lobaev, D.B Radishchev, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, S.A. Bogdanov, V.A. Isaev,V.A. Kukushkin, S.A. Kraev, A.I. Okhapkin, E.A. Arkhipova, E.V. Demidov, M.N. Drozdov. Study of photo- and electroluminescence of nitrogen-related color centers in a diamond p?i?n diode. Technical Physics Letters, 2025, Vol. 51, No. 5