Установка прецизионной микрообработки полупроводниковых материалов SharpMark YV04 UF 10
Контактное лицо
Краев Станислав Алексеевич, Ведущий технолог отдела технологии наноструктур и приборов
(831) 417−94−96 (+202, +249)
Описание установки
Станок для лазерной резки и гравировки – это многофункциональное устройство, действующим элементом которого является лазерный источник излучения. Энергия светового потока испаряет обрабатываемый материал на нужную глубину. Основой установки прецизионной микрообработки полупроводниковых материалов «SharpMark YV04 UF 10» является твердотельный лазер для гравировки – это лазер с диодной накачкой (DPSS - Diode-pumped solid-state laser). Активной средой в этом аппарате служат диэлектрические кристаллы YVO4 (Vanadate). Этот станок хорошо подходит для резки, маркировки, нанесения текста и изображений на различные поверхности, в том числе на чувствительные к перегреву материалы, а также на материалы с высоким коэффициентом отражения. Например пластины кремния, сапфира, арсенида галлия, кварца, поликорунда и прочие материалы используемые в микроэлектронике.Технические характеристики
тип лазера твердотельный, рабочая длинна волны 350-360нм
рабочее поле 110мм*110мм
глубина фокусировки 1мм
минимальный диаметр пятна излучения в фокусе 30мкм
рабочее поле 110мм*110мм
глубина фокусировки 1мм
минимальный диаметр пятна излучения в фокусе 30мкм
