Послойный элементный анализ методом вторично-ионной масс-спектрометрии на установке TOF.SIМS 5-100
Данная услуга позволяет определить атомный состав твердых тел, включая элементы примеси и матрицы. Такие исследования необходимы для задач технологии роста эпитаксиальных структур, осаждения слоев металлов, сверхпроводников и диэлектриков. Рисунок показывает профиль концентрации элементов In, Al и легирующей примеси Si по глубине транзисторной структуры p-HEMT с двумерным электронным каналом , изготовленной в ОАО НПО Салют.
Оборудование
Контактное лицо
Стоимость
19000 руб./час без НДСРезультаты
- Количественный послойный анализ атомного состава полупроводниковых гетероструктур
- Новый метод послойного анализа твердотельных гетероструктур с нанокластерами с использованием масс-спектрометрии кластерных вторичных ионов
- Новый подход к анализу фазового состава углеродсодержащих материалов методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии
Заказчики
• Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского• ОАО "НПП”Салют"
• АО “НПП “Исток” им. Шокина”
• Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова
• Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики имени А. В. Гапонова-Грехова РАН
• Институт физики микроструктур РАН
• Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе РАН
• ООО «Коннектор Оптикс»
• МГУ им. М.В. Ломоносова
• ОАО "НПО Эркон"