Новый метод послойного анализа твердотельных гетероструктур с нанокластерами с использованием масс-спектрометрии кластерных вторичных ионов
Предложен новый метод послойного анализа структур с нанокластерами с использованием вторично-ионной масс-спектрометрии. Эффективность метода продемонстрирована на примере гетероструктур GeSi/Si с самоорганизованными наноостровками. Основой метода служит обнаруженная квадратичная зависимость интенсивности выхода кластерных вторичных ионов Ge2 от концентрации германия, в отличие от известной линейной зависимости для элементарных вторичных ионов. Показано, что использование нелинейных зависимостей позволяет получить новую информацию о многослойных гетероструктурах GeSi/Si. Без дополнительной априорной информации о структуре становится возможным различить планарные 2D гетерослои и слои с 3D нанокластерами, оценить высоту нанокластеров, наличие смачивающего слоя и проследить эволюцию формирования нанокластеров в многослойной структуре.
Оборудование
Контактное лицо
Публикации
• М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, Н.Д.Захаров, Д.Н.Лобанов, А.В. Новиков, П.А. Юнин, Д.В. Юрасов. Новый подход к диагностике наноостровков в гетероструктурах GeSi/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии. Письма в ЖТФ, 2014, том 40, вып. 14, с.36-46.• М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Новиков, П.А. Юнин, Д.В. Юрасов. Нелинейные калибровочные зависимости в методе вторично-ионной масс-спектрометрии для количественного анализа гетероструктур GeSi с нанокластерами. Письма в ЖТФ, 2016г. т.42, в.5, с.40-48.
• М.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, О.И. Хрыкин, П.А. Юнин. Селективный анализ элементного состава нанокластеров InGaAs/GaAs методом вторично-ионной масс-спектрометрии. Письма в ЖТФ, 2017, том 43, вып. 10, с.50.