Вторично-ионный масс-спектрометр TOF.SIMS 5-100

Вторично-ионный масс-спектрометр TOF.SIMS 5-100
Вторично-ионный масс-спектрометр TOF.SIMS 5-100

Контактное лицо

Дроздов Михаил Николаевич, к.ф.-м.н., с.н.с.

drm@ipmras.ru

831 417-94-92

Описание установки

Назначение
Метод вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС) предназначен для анализа атомного состава твердотельных структур. ВИМС метод основан на распылении поверхности твердого тела пучком первичных ионов и анализе эмитируемых с поверхности вторичных ионов, содержащих информацию о составе исследуемой поверхности. 

Возможности 
    Метод ВИМС позволяет получать следующую информацию о составе структур:
·       регистрировать все элементы Периодической системы + молекулярные ионы;
·       проводить качественный анализ, т.е. надежно идентифицировать все присутствующие элементы с уровнем чувствительности от Nα>1015 – 1016ат/см3;
·       проводить количественный анализ атомного состава структур (для этого необходимы соответствующие эталонные структуры или набор таких структур);
·       проводить анализ распределения элементов по глубине - послойный анализ (с разрешением по глубине 1 - 5нм);
·       проводить анализ распределения элементов по поверхности структуры.
Метод ВИМС позволяет анализировать состав широкого класса структур:
·       Полупроводники
·       Металлы
·       Диэлектрики
·       Композиты
·       Органические материалы 

Уникальность
Метод вторично-ионной масс-спектрометрии имеет предельно малую информационную глубину - глубина выхода вторичных ионов < 0.5 нм и высокую чувствительность 1014 ÷ 1016 ат*см-3. Это отличает этот метод от других методов анализа состава твердых тел. Метод времяпролетной масс-спектрометрии вторичных ионов реализованный на установке TOF.SIMS-5 отличает очень низкая величина тока зондирующего пучка ионов висмута - 1 пА. Такой пучок ионов практически не разрушает зондируемую поверхность, что позволяет проводить анализ молекулярного состава поверхности.

Технические характеристики

Статический ВИМС
Зондирующий пучок:
Bi1, Bi3, 25кэВ, 1пА, t<1нс (50кГц)
Диапазон масс 1-10000а.е.м.
Разрешение по массам M/DM » 10000

Динамический ВИМС:
Распыляющие пучки: O2, Cs
0.25 – 2кэВ, 100-и нА
Глубина анализа: 10нм – 5мкм
Разрешение по глубине: 1нм 

Чувствительность
5*1015-5*1016ат./см3 (послойный ВИМС)
108 - 109 ат./см2 (статический ВИМС)

Возврат к списку