Вторично-ионный масс-спектрометр TOF.SIMS 5-100
Контактное лицо
Описание установки
Назначение
Метод вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС) предназначен для анализа атомного состава твердотельных структур. ВИМС метод основан на распылении поверхности твердого тела пучком первичных ионов и анализе эмитируемых с поверхности вторичных ионов, содержащих информацию о составе исследуемой поверхности.
Метод вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС) предназначен для анализа атомного состава твердотельных структур. ВИМС метод основан на распылении поверхности твердого тела пучком первичных ионов и анализе эмитируемых с поверхности вторичных ионов, содержащих информацию о составе исследуемой поверхности.
Возможности
Метод ВИМС позволяет получать следующую информацию о составе структур:
· регистрировать все элементы Периодической системы + молекулярные ионы;
· проводить качественный анализ, т.е. надежно идентифицировать все присутствующие элементы с уровнем чувствительности от Nα>1015 – 1016ат/см3;
· проводить количественный анализ атомного состава структур (для этого необходимы соответствующие эталонные структуры или набор таких структур);
· проводить анализ распределения элементов по глубине - послойный анализ (с разрешением по глубине 1 - 5нм);
· проводить анализ распределения элементов по поверхности структуры.
Метод ВИМС позволяет анализировать состав широкого класса структур:
· Полупроводники
· Металлы
· Диэлектрики
· Композиты
· Органические материалы
Уникальность
Метод вторично-ионной масс-спектрометрии имеет предельно малую информационную глубину - глубина выхода вторичных ионов < 0.5 нм и высокую чувствительность 1014 ÷ 1016 ат*см-3. Это отличает этот метод от других методов анализа состава твердых тел. Метод времяпролетной масс-спектрометрии вторичных ионов реализованный на установке TOF.SIMS-5 отличает очень низкая величина тока зондирующего пучка ионов висмута - 1 пА. Такой пучок ионов практически не разрушает зондируемую поверхность, что позволяет проводить анализ молекулярного состава поверхности.
Метод ВИМС позволяет получать следующую информацию о составе структур:
· регистрировать все элементы Периодической системы + молекулярные ионы;
· проводить качественный анализ, т.е. надежно идентифицировать все присутствующие элементы с уровнем чувствительности от Nα>1015 – 1016ат/см3;
· проводить количественный анализ атомного состава структур (для этого необходимы соответствующие эталонные структуры или набор таких структур);
· проводить анализ распределения элементов по глубине - послойный анализ (с разрешением по глубине 1 - 5нм);
· проводить анализ распределения элементов по поверхности структуры.
Метод ВИМС позволяет анализировать состав широкого класса структур:
· Полупроводники
· Металлы
· Диэлектрики
· Композиты
· Органические материалы
Уникальность
Метод вторично-ионной масс-спектрометрии имеет предельно малую информационную глубину - глубина выхода вторичных ионов < 0.5 нм и высокую чувствительность 1014 ÷ 1016 ат*см-3. Это отличает этот метод от других методов анализа состава твердых тел. Метод времяпролетной масс-спектрометрии вторичных ионов реализованный на установке TOF.SIMS-5 отличает очень низкая величина тока зондирующего пучка ионов висмута - 1 пА. Такой пучок ионов практически не разрушает зондируемую поверхность, что позволяет проводить анализ молекулярного состава поверхности.
Услуги
Результаты
- Количественный послойный анализ атомного состава полупроводниковых гетероструктур
- Новый метод послойного анализа твердотельных гетероструктур с нанокластерами с использованием масс-спектрометрии кластерных вторичных ионов
- Новый подход к анализу фазового состава углеродсодержащих материалов методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии
- Исследование ограничений метода рентгеновской дифрактометрии при анализе вхождения атомов теллура в эпитаксиальные слои GaAs
Технические характеристики
Статический ВИМС
Зондирующий пучок:
Bi1, Bi3, 25кэВ, 1пА, t<1нс (50кГц)
Диапазон масс 1-10000а.е.м.
Разрешение по массам M/DM » 10000
Динамический ВИМС:
Распыляющие пучки: O2, Cs
0.25 – 2кэВ, 100-и нА
Глубина анализа: 10нм – 5мкм
Разрешение по глубине: 1нм
Чувствительность
5*1015-5*1016ат./см3 (послойный ВИМС)
108 - 109 ат./см2 (статический ВИМС)
Зондирующий пучок:
Bi1, Bi3, 25кэВ, 1пА, t<1нс (50кГц)
Диапазон масс 1-10000а.е.м.
Разрешение по массам M/DM » 10000
Динамический ВИМС:
Распыляющие пучки: O2, Cs
0.25 – 2кэВ, 100-и нА
Глубина анализа: 10нм – 5мкм
Разрешение по глубине: 1нм
Чувствительность
5*1015-5*1016ат./см3 (послойный ВИМС)
108 - 109 ат./см2 (статический ВИМС)
