Количественный послойный анализ атомного состава полупроводниковых гетероструктур

Количественный анализ полупроводниковых гетероструктур основан на использовании тестовых структур для получения калибровочных зависимостей "интенсивность вторичных ионов - концентрация элемента". Для анализа концентрации атомов примеси достаточно одной тестовой структуры для данного элемента в используемом полупроводнике - кремний, арсенид галлия, алмаз и др. Оптимальным вариантом тестовой структуры являются слои полупроводника, имплантированные данным элементом, как показано на рисунке выше. Для анализа концентрации элементов матрицы полупроводника, например германия в твердом растворе GeSi, необходим набор тестовых структур с разной концентрацией элементов, определенной другим методом. Это позволяет получить калибровочную зависимость интенсивности вторичных ионов германия от концентрации германия. Еще одной задачей количественного послойного анализа является определение изотопного состава изотопно обогащенных гетероструктур GeSi.

Оборудование

Вторично-ионный масс-спектрометр TOF.SIMS 5-100

Контактное лицо

Дроздов Михаил Николаевич, к.ф.-м.н., с.н.с.

drm@ipmras.ru

831 417-94-92

Публикации

• М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Новиков, П.А. Юнин, Д.В. Юрасов. Количественная калибровка и послойный анализ концентрации германия в гетероструктурах GeSi/Si методом ВИМС. Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, вып. 8, с.1138-1146.
• Е.Л. Панкратов, О.П. Гуськова, М.Н. Дроздов, Н.Д. Абросимова, В.М. Воротынцев. Аномальное распределение германия, имплантированного в диэлектрический слой структуры КНИ, после отжига радиационных дефектов. Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, вып. 5, с.631-635.
• D.V. Yurasov, M.N.Drozdov, N.D.Zakharov, A.V.Novikov. Segregation of Sb in SiGe heterostructures grown by molecular beam epitaxy: Interdependence of growth conditions and structure parameters. Journal of Crystal Growth. 2014, v.396, p.66-70.
• D.V. Yurasov, A.V. Antonov, M.N. Drozdov, V.B. Schmagin, K.E. Spirin, and A.V. Novikov. Antimony segregation in Ge and formation of n-type selectively doped Ge films in molecular beam epitaxy. Journal of Applied Physics V.118, 145701 (2015).
• M.N. Drozdov, Y.N.Drozdov, A. Csik, A.V.Novikov, K.Vad, P.A. Yunin, D.V.Yurasov, S.F. Belykh, G.P. Gololobov, D.V. Suvorov, A. Tolstogouzov. Quantitative depth profiling of Si1–xGex structures by time-of-flight secondary ion mass spectrometry and secondary neutral mass spectrometry. Thin Solid Films. 2016, v.607, pp.25–31.
• М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, П.А. Юнин, П.И. Фоломин, А.Б. Гриценко, В.Л. Крюков, Е.В. Крюков. Экстремально глубокий послойный анализ атомного состава толстых (> 100 μm) слоев GaAs в составе мощных PIN-диодов методом вторично-ионной масс-спектрометрии. Письма в ЖТФ, 2016, том 42, вып. 15, с.27-35
• L. Vikharev, A. M. Gorbachev, M. A. Lobaev, A. B. Muchnikov, D. B. Radishev, V. A. Isaev, V. V. Chernov, S. A. Bogdanov, M. N. Drozdov, J. E. Butler. Novel microwave plasma-assisted CVD reactor for diamond delta doping. Phys. Status Solidi RRL, 1–4 (2016) / DOI 10.1002/pssr.201510453
• И.Л. Калентьева, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, А.В. Кудрин, М.Н. Дроздов. Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным дельта-легированным Mn слоем GaAs. Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, вып. 11, с.1490-1496
• 10. В.М. Данильцев, Е.В. Демидов, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, С.А. Краев, Е.А. Суровегина, В.И. Шашкин, П.А. Юнин. Сильно легированные слои GaAs:Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника. Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, вып. 11, с. 1459-1462
• D.V. Yurasov, M.N. Drozdov, V.B. Schmagin, P.A. Yunin, A.V. Novikov. Antimony segregation and n-type doping in Si/Si(111) films grown by molecular beam epitaxy. Journal of Crystal Growth. 475 (2017) 291–294
• Д.В. Юрасов, М.Н. Дроздов, В.Б. Шмагин, А.В. Новиков. Исследование сегрегации сурьмы при эпитаксиальном росте на подложках Si с различной кристаллографической ориентацией. Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, вып. 12, с.1611-1615
• M.A. Lobaev, A.M. Gorbachev, S.A. Bogdanov, A.L. Vikharev, D.B. Radishev, V.A. Isaev, V.V. Chernov, M.N. Drozdov. Influence of CVD diamond growth conditions on nitrogen incorporation. Diamond & Related Materials. 72 (2017) 1–6.
• S.A. Bogdanov, A.L. Vikharev, M.N. Drozdov, D.B. Radishev. Synthesis of thick and high-quality homoepitaxial diamond with high boron doping level: Oxygen effect. Diamond & Related Materials. 74 (2017) 59–64.
• P.A. Yunin, Yu.N. Drozdov, M.N. Drozdov, O.I. Khrykin, V.I. Shashkin. Quantitative SIMS depth profiling of Al in AlGaN/AlN/GaN HEMT structures with nanometer-thin layers. Surface and Interface Analysis, 2017, 49, 117–121.
• M.A. Lobaev, A.M. Gorbachev, A.L. Vikharev, V.A. Isaev, D.B. Radishev, S.A. Bogdanov, M.N. Drozdov, P.A. Yunin, J.E. Butler. Investigation of boron incorporation in delta doped diamond layers by secondary ion mass spectrometry. Thin Solid Films. 653 (2018) 215–222
• П. А. Змановский, Н. Д. Ильюшина, М. М. Абдулов, А. К. Смирнова, М. Н. Дроздов, А. А. Веденеев, М. П. Духновский. Профили легирования AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT-структур. Журнал радиоэлектроники, 2019, N10, с.1-12. DOI 10.30898/1684-1719.2019.10.4
• M.A. Lobaev, D.B. Radishev, A.M. Gorbachev, A.L. Vikharev, M.N. Drozdov. Investigation of Microwave Plasma during Diamond Doping by Phosphorus Using Optical Emission Spectroscopy. Phys. Status Solidi A 2019, 1900234. 1-7. DOI: 10.1002/pssa.201900234.
• E. Bulska, M. N. Drozdov, G. Mana, A. Pramann, O. Rienitz, P. Sennikov and S. Valkiers. The isotopic composition of enriched Si: a data analysis. Metrologia 48 (2011) S32–S36.
• V. Mazzocchi, P.G. Sennikov, A.D. Bulanov, M.F. Churbanov, B. Bertrand, L. Hutin, J.P. Barnes, M.N. Drozdov, J.M. Hartmann, M. Sanquerd. 99.992% 28Si CVD-grown epilayer on 300 mm substrates for large scale integration of silicon spin qubits. Journal of Crystal Growth. 2019, V.509, p. 1–7.
• Д.В. Юрасов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, М.Н. Дроздов, Е.В. Демидов, А.В. Антонов, Л.В. Красильникова, Д.А. Шмырин, П.А. Юнин, З.Ф. Красильник, С.В. Ситников, Д.В. Щеглов. Изотопно-обогащенные Si/SiGe эпитаксиальные структуры для квантовых вычислений. Письма в ЖТФ, 2024, том 50, вып. 10, с.22-25
• Баталов Р.И., Баязитов Р.М., Новиков Г.А., Шустов В.А., Лядов Н.М., Новиков А.В., Бушуйкин П.А., Байдакова Н.А., Дроздов М.Н., Юнин П.А. Импульсный ионный отжиг германия, имплантированного ионами сурьмы. Автометрия, 2019, т.55, №5, 5-13.
• М.В. Ревин, В.А. Беляков, В.А. Иванов, А.П. Котков, А.Г. Фефелов, Е.В. Демидов, М.Н. Дроздов, П.А. Юнин, В.И. Шашкин. Оптимизация конструкции канала рHEMT-гетероструктур (Al-In-Ga)As, полученных методом металлорганической газофазной эпитаксии. Нано- и микросистемная техника, Т.21, вып.10, с.600-606 (2019).
• M.A. Lobaev, D.B. Radishev, S.A. Bogdanov, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, V. A. Isaev, S.A. Kraev, A.I. Okhapkin, E.A. Arhipova, M.N. Drozdov, and V.I. Shashkin. Diamond p–i–n Diode with Nitrogen Containing Intrinsic Region for the Study of Nitrogen-Vacancy Center Electroluminescence. Phys. Status Solidi RAPID RESEARCH LETTER 2020, 2000347
• M.A. Lobaev, A.M. Gorbachev, D.B. Radishev, A.L. Vikharev, S.A. Bogdanov, V.A. Isaev, M.N. Drozdov. Investigation of silicon-vacancy centers formation during the CVD diamond growth of thin and delta doped layers, J. Mater. Chem. C, 2021, 9, 9229-9235
• A.M. Gorbachev, A.A. Vikharev, A.V. Afanasiev, A.L. Vikharev, I.V. Bandurkin, D.B. Radishev, M.N. Drozdov, S.A. Bogdanov. Investigation of phosphorus-doped nanocrystalline diamond films for photocathode application. Vacuum, 2023, V.215, 112335. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2023.112335
• M. A. Lobaev, D. B. Radishev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, S. A. Bogdanov, V. A. Isaev, S. A. Kraev, A. I. Okhapkin, E. A. Arhipova, E. V. Demidov, and M. N. Drozdov. SiV center electroluminescence in high current density diamond p-i-n diode. Appl. Phys. Lett. 123, 251116 (2023), doi: 10.1063/5.0178908

Возврат к списку