Быстрый термический отжиг микроструктур с использованием установки AcuThermo AW 410 System
Графики параметров процесса отжига в режиме реального времени
Быстрый термический отжиг микроструктур (полупроводниковых пластин, подложек с тонкими пленками для микроэлектроники, и прочее)
Быстрый термический отжиг микроструктур (полупроводниковых пластин, подложек с тонкими пленками для микроэлектроники, и прочее)
Контактное лицо
Краев Станислав Алексеевич, Ведущий технолог отдела технологии наноструктур и приборов
(831) 417−94−96 (+202, +249)
Стоимость
7000 руб./час без НДСРезультаты
- Влияние термического отжига на транспортные свойства низкобарьерных диодов Мотта Ti/AlGaN/GaN с приповерхностным поляризационно-индуцированным дельта-легированием
- Влияние постростового отжига на соотношение долей sp2- и sp3-связанного углерода в PECVD пленках алмазоподобного углерода
- Варианты формирования вплавных омических контактов к легированным бором слоям, созданным в эпитаксиальных структурах CVD-алмаза
Заказчики
• Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики имени А. В. Гапонова-Грехова РАН• Институт физики микроструктур РАН
• ННГУ им. Н.И. Лобачевского