Варианты формирования вплавных омических контактов к легированным бором слоям, созданным в эпитаксиальных структурах CVD-алмаза
Рис. 1
Рис. 2
Рис. 3
Рис. 2. Схема формирования мезаструктуры и омического контакта к дельта-легированным структурам с использованием p+-слоя на поверхности
Рис. 3. Результаты измерения контактного сопротивления на линии TLM: 1 — при наличии приповерхностного тонкого p+-слоя, 2 — приповерхностный тонкий p+-слой стравлен
Исследованы различные варианты формирования омических контактов к легированным бором дельта-слоям,
созданным в эпитаксиальных структурах CVD-алмаза. Показана возможность создания омических контактов к монокристаллическим эпитаксиальным алмазным структурам с приемлемыми характеристиками как с использованием быстрого термического отжига, так и без него.
Рис. 3. Результаты измерения контактного сопротивления на линии TLM: 1 — при наличии приповерхностного тонкого p+-слоя, 2 — приповерхностный тонкий p+-слой стравлен
Исследованы различные варианты формирования омических контактов к легированным бором дельта-слоям,
созданным в эпитаксиальных структурах CVD-алмаза. Показана возможность создания омических контактов к монокристаллическим эпитаксиальным алмазным структурам с приемлемыми характеристиками как с использованием быстрого термического отжига, так и без него.
Контактное лицо
Краев Станислав Алексеевич, Ведущий технолог отдела технологии наноструктур и приборов
(831) 417−94−96 (+202, +249)