Влияние постростового отжига на соотношение долей sp2- и sp3-связанного углерода в PECVD пленках алмазоподобного углерода

Рис. 2. Спектры комбинационного рассеяния света для пленки DLC на монокристаллическом алмазе, последовательно отожженной при температурах 500−900◦C: 1 — обратная сторона монокристаллической алмазной подложки без пленки, 2 — исходная пленка DLC, 3 — после отжига при 500◦C, 4 — после отжига при 700◦C, 5 — после отжига при 900◦C.

Рис. 3. Результаты количественного послойного ВИМС анализа доли sp3-фракции углерода пленки DLC толщиной 42 нм, осажденной методом PECVD на монокристаллической алмазной подложке

Продемонстрированы возможности влияния на соотношение долей sp2- и sp3-связанного углерода в PECVD пленках DLC как in situ непосредственно в процессе их получения, так и ex situ при постростовом отжиге, а также электрическим полем. Полученные результаты позволяют варьировать долю sp2-фракции в пленках, управляя их структурными свойствами и проводимостью. Показаны возможности получения как диэлектрических (при высокой доле sp3-фракции), так и проводящих (при высокой sp2-фракции) покрытий DLC на монокристаллическом алмазе. Использование продемонстрированных подходов может оказаться перспективным для формирования изолирующих и контактных слоев на монокристаллическом полупроводниковом алмазе.