Травление структур в установке плазмохимического травления и осаждения с источником индуктивно-связанной плазмы PlasmaLab 80

Плазмохимическое травление является одной из ключевых постростовых операций при изготовлении будущей структуры диодов, транзисторов и других приборов микроэлектроники. Установка PlasmaLab 80 позволяет проводить анизотропное вертикальное травление самых разных материалов: полупроводников (Si, Ge, GaAs, GaN, InN),  диэлектриков (SiO₂, Si₃N₄, Al₂O₃), высокотемпературных сверхпроводников (YtBaCuO, BiSrCuO), металлов (Cr, Al, V, Ti, Au, Ag, Bi) монокристаллического и поликристаллического алмаза, фоторезиста и др. Реализована возможность использования фторсодержащей, хлорсодержащей, кислородной, водородной, аргоновой плазмы. Наличие источника ICP способствует протеканию процесса травления с высокой скоростью без негативной бомбардировки поверхности, а система охлаждения столика газообразным гелием препятствует разогреву образца. В результате удается получить вертикальный профиль травления с высоким аспектным соотношением; с ровными, гладкими стенками и дном; и без дефектов кристаллической решетки обрабатываемого материала. По желанию заказчика возможно получение любых форм - сквозных отверстий, кругов разного размера, канавок, узких полосок и т.п.  Варьирование  рабочих параметров установки позволяет проводить на ней изотропное травление, модификацию поверхности, полирующее травление, селективное вытравливание и другие операции. Данная услуга востребована как для решения задач среди НИИ, так и на этапе разработки (НИР, НИОКР) в конструкторских бюро и предприятиях  микроэлектронной промышленности.