Формирование антиотражающего слоя на поверхности кремния

Постростовая обработка структур
Рис. 1. СЭМ изображение поверхности «черного» кремния
Рис. 1. СЭМ изображение поверхности «черного» кремния
Рис. 2. АСМ изображение поверхности «черного» кремния
Рис. 2. АСМ изображение поверхности «черного» кремния
Рис. 3. Угловые зависимости коэффициента отражения от образцов кремния: исходная подложка (точка-тире), образец после обработки ионным пучком Ar+ (пунктирная линия), образец после обработки в плазме SF6 + O2 (сплошная линия). а - λ=532 nm; б - λ =633 nm
Рис. 3. Угловые зависимости коэффициента отражения от образцов кремния: исходная подложка (точка-тире), образец после обработки ионным пучком Ar+ (пунктирная линия), образец после обработки в плазме SF6 + O2 (сплошная линия). а - λ=532 nm; б - λ =633 nm
На поверхности монокристаллического кремния был сформирован антиотражающий слой «черного кремния» путем наномаскирования в процессе травления в плазме гексафторида серы и кислорода. Сильноразвитый рельеф в кремнии формировался за счет осаждения SiO2 и последующего травления фторидными частицами плазмы. Образование слоя «черного кремния» способствовало снижению коэффициента отражения Френеля на 2-3 порядка при углах скольжения больше 40° для разных длин волн излучаемого света.

Контактное лицо

Охапкин Андрей Игоревич, н.с. ИФМ РАН

poa89@ipmras.ru

+7 (831) 417−94−50

Публикации

M.V. Zorina, S.A. Kraev, A.Ya. Lopatin, M.S. Mikhailenko, A.I. Okhapkin, A.A. Perekalov, A.E. Pestov, A.K. Chernyshev, N.I. Chkhalo and I.I. Kuznetsov. On the formation of an anti-reflection layer on the surface of single-crystal silicon by ion-beam etching, Journal of surface investigation: x-ray, synchrotron and neutron techniques, 17 (2023), S259–S264.

Возврат к списку