Установка плазмохимического травления и осаждения с источником индуктивно-связанной плазмы PlasmaLab 80
Контактное лицо
Описание установки
Установка PlasmaLab 80 предназначена для плазмохимического травления материалов и нанесения тонких пленок диэлектриков в качестве пассивирующих и изолирующих слоев MEMS, диодных и транзисторных структур. Возможно использование как целых пластин диаметром до 100 мм включительно, так и образцов произвольной формы и размеров. PlasmaLab 80 позволяет сформировать вертикальный профиль травления с нанометровым аспектным соотношением в полупроводниках, металлах, диэлектриках и сверхпроводниках. Благодаря наличию источника плазмы большой плотности (ICP), удается поддерживать высокую скорость травления и осаждения без интенсивного энергетического воздействия на обрабатываемую подложку. В результате в процессе травления не развивается шероховатость и не нарушается стехиометрический состав образца; а осажденные пленки характеризуются ультрагладкой поверхностью.Услуги
Результаты
- Плазмохимическое осаждение однослойных и многослойных пленок DLC с варьируемым соотношением sp2/sp3 фаз углерода
- Низкотемпературное осаждение диэлектрических пленок нитрида кремния в индуктивно-связанной плазме
- Глубокое и прецизионное травление кремния
- Формирование антиотражающего слоя на поверхности кремния
- Вертикальное травление A3B5 материалов в хлорсодержащей плазме
- Полирующее травление поверхности монокристаллических алмазных подложек
- Плазмохимическое травление монокристаллического алмаза
- Селективное вытравливание кремния из столбиков с нанокристаллическими алмазными стенками
Технические характеристики
Реактор
Создание плазмы
Система откачки
Данная система позволяет добиться уровня вакуума в реакторе порядка 10-6 Торр
Система регулирования давления
Рабочее давление в реакторе 1- 100 мТорр
Система подачи реагентов
Специализируемое программное обеспечение
- Из алюминия
- Смотровое окно для визуального контроля процесса
- Окно в верхней части для подключения спектрометра/интерферометра
- Диаметр столика - 200 мм
- Диаметр зоны ICP - 80 мм
Создание плазмы
- Источник индуктивно-связанной плазмы ICP65
- Высокочастотный генератор (13.56 МГц) емкостного разряда мощностью 300 Вт с автоматическим устройством согласования нагрузки
- Ультрастабильный высокочастотный генератор (13.56 МГц) ICP мощностью 300 Вт с автоматическим устройством согласования нагрузки фирмы Comdel
Система откачки
- Форвауумный насос в антикоррозионном исполнении
- Турбомолекулярный насос Alcatel на гибридном подвесе с прогреваемыми стенками в антикоррозионном исполнении
- Отсечной вакуумный затвор VAT
Данная система позволяет добиться уровня вакуума в реакторе порядка 10-6 Торр
Система регулирования давления
- Вакуумный затвор с изменяющимся сечением откачки MKS в линии между турбомолекулярным насосом и реактором
- Мембранно-емкостной датчик давления (баратрон)
- Датчик давления высокого вакуума Пенинга с холодным катодом
Рабочее давление в реакторе 1- 100 мТорр
Система подачи реагентов
- Газовый шкаф с платами управления газовыми линиями
- 8 независимых газовых линий с регулятором расхода, фильтром твердых частиц и пневматическими клапанами
- Система охлаждения столика газообразным гелием для предотвращения нагрева образца
Специализируемое программное обеспечение
- Три уровня допуска
- Управление работой установки в автоматическом режиме
- Возможность программирования циклических технологических процессов (создание рецептов).