Низкотемпературное осаждение диэлектрических пленок нитрида кремния в индуктивно-связанной плазме
Рис. 1. АСМ изображение поверхности нитрида кремния
Рис. 2. СЭМ изображение поверхности нитрида кремния
В индуктивно-связанной плазме SiH4/Ar+N2 были выращены пленки SiNx как на подложках из кремния, так и на транзисторных структурах на основе GaN. Поверхность осажденных пленок оказалась гладкой, перепад высот был порядка 1 нм. Пленки демонстрировали хорошие диэлектрические свойства: поле пробоя составило для них 0.8−1.2*107 В/см, удельное сопротивление > 1014 Ом*см. Осажденные покрытия из нитрида кремния использовались в качестве защитного диэлектрика при изготовлении широкополосных МОЭМС для калибровки оптических систем.
Оборудование
Контактное лицо
Публикации
- P. Volkov, A. Lukyanov, A. Goryunov, D. Semikov, E. Vopilkin, S. Kraev, A. Okhapkin, A. Tertyshnik, E. Arkhipova. Wideband MOEMS for the calibration of optical readout systems, Sensors, 21 (2021), 7343
- П.В. Волков, А.В. Горюнов, Е.А. Вопилкин, С.А. Краев, А.Ю. Лукьянов, А.И. Охапкин. Широкополосный МОЭМС для калибровки оптических систем, Фотон-экспресс, 2021, т. 6, № 174, с. 288-289
- Охапкин А.И., Королев С.А., Дроздов М.Н., Юнин П.А., Краев С.А., Хрыкин О.И., Шашкин В.И. Низкотемпературное осаждение пленок SiNx в индуктивно-связанной плазме SiH4/Ar+N2 в условиях сильного разбавления силана аргоном, ФТП, 2017, т. 51, № 11, с. 1503-1506
- П.А. Юнин, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, С.А. Королев, А.И. Охапкин, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. Слои Si3N4 для in situ пассивации транзисторных структур на основе GaN, ФТП, 2015, т. 49, № 11, с. 1469-1472.