Плазмохимическое травление монокристаллического алмаза
2D-изображение поверхности и профиль травления монокристаллического алмаза
2D-изображение поверхности и профиль травления монокристаллического алмаза
Монокристаллический алмаз чрезвычайно устойчив к действию жидкостных травителей и довольно медленно травится в плазме емкостного разряда без использования больших мощностей, что зачастую приводит к дефектам кристаллической решетки. Благодаря источнику ICP установка PlasmaLab 80 позволяет проводить анизотропное травление как легированного фосфором и бором, так и нелегированного монокристаллического алмаза с высокой скоростью и без развития шероховатости. Представленная технология травления алмаза в индуктивно-связанной кислородсодержащей плазме использовалась для создания структур при исследовании люминесцентных свойств NV и SiV - центров окраски, а также для изготовления ряда приборов на основе алмаза - диода Шоттки, pn-диода Шоттки, p−i−n-диода и полевого транзистора.
Оборудование
Контактное лицо
Публикации
- M.A. Lobaev, D.B. Radishev, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, S.A. Bogdanov, V.A. Isaev, E.V. Demidov, S.A. Kraev, E.A. Arkhipova, S.A. Korolev, A.I. Okhapkin, M.N. Drozdov. Real-time temperature sensor based on integrated diamond Schottky diode, Materials Science in Semiconductor Processing, 188 (2025), 109267
- М.А. Лобаев, Д.Б. Радищев, А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, С.А. Богданов, В.А. Исаев, С.А. Краев, А.И. Охапкин, Е.А. Архипова, П.А. Юнин, Н.В. Востоков, Е.В. Демидов, М.Н. Дроздов. CVD-алмазные структуры с p-n-переходом --- диоды и транзисторы, ЖТФ, 2025, т. 95, № 3, с. 540-548
- Е.А. Архипова, М.Н. Дроздов, С.А. Краев, О.И. Хрыкин, А.И. Охапкин, М.А. Лобаев, А.Л. Вихарев, С.А. Богданов, В.А. Исаев. Невплавные омические контакты с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза p- и n-типа и их термическая стабильность, ФТП, 2024, т. 58, № 8, с. 409-414
- M.A. Lobaev, D.B. Radishev, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, S.A. Bogdanov, V.A. Isaev, S.A. Kraev, A.I. Okhapkin, E.A. Arhipova, E.V. Demidov, M.N. Drozdov. SiV center electroluminescence in high current density diamond p-i-n diode, Applied Physics Letters, 123 (2023), 251116
- M.A. Lobaev, D.B. Radishev, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, S.A.Bogdanov, V.A. Isaev, S.A. Kraev, A.I. Okhapkin, E.A. Arkhipova, E.V. Demidov, M.N. Drozdov. SiV Centers electroluminescence in diamond merged diode, Physica status solidi- rapid research letters, 17 (2022), 2200432
- А.М. Горбачёв, М.А. Лобаев, Д.Б. Радищев, А.Л. Вихарев, С.А. Богданов, М.Н. Дроздов, В.А. Исаев, С.А. Краев, А.И. Охапкин, Е.А. Архипова. Создание локализованных ансамблей NV-центров в алмазе, выращиваемом в микроволновом CVD-реакторе, и изучение их свойств, Известия Вузов. Радиофизика, 2020, т. 63, № 7, с. 589-602
- M.A. Lobaev, D.B. Radishev, S.A. Bogdanov, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, V.A. Isaev, S.A. Kraev, A.I. Okhapkin, E.A. Arhipova, M.N. Drozdov, V.I. Shashkin. Diamond p-i-n diode with nitrogen containing intrinsic region for the study of nitrogen-vacancy center electroluminescence, Physica status solidi-rapid research letters, 14 (2020), 2000347
- V.A. Kukushkin, M.A. Lobaev, S.A. Bogdanov, A.N. Stepanov, S.A. Kraev, A.I. Okhapkin, E.A. Arkhipova, A.V. Zdoroveyshchev, M.V. Ved. Visible and near-infrared photodetector on chemically vapor deposited diamond, Diamond and related materials, 97 (2019), 107444.