Осаждение тонких пленок в установке плазмохимического осаждения с источником индуктивно связанной плазмы PlasmaLab 80

Процесс плазмохимического осаждения тонких пленок реализуется из гидридных прекурсоров в реакторе цилиндрического типа с верхним ICP-электродом. За счет близко расположенного к рабочему столику газораспределительного кольца, в установке PlasmaLab 80 удается осуществлять равномерное осаждение пленок по всей площади подложки для пластин диаметром до  100 мм (за исключением нерабочей области с краю). Благодаря наличию источника плотной плазмы возможно поддержание высокой скорости осаждения без нагрева образца  и при сравнительно небольшой мощности разряда. Получаемые пленки имеют ультрагладкую поверхность, характеризуются малым количеством дефектов и демонстрируют отличные изолирующие свойства. Они обладают хорошей адгезией к материалу подложки и выдерживают длительную обработку в ультразвуке (Lift-off-процесс). Услуга может быть востребована для создания защитных покрытий датчиков MEMS, подзатворных диэлектриков в MISFET, изолирующих слоев диодов и транзисторов, для нанесения химически стойких масок при жидкостном травлении.