Вертикальное травление A3B5 материалов в хлорсодержащей плазме

Постростовая обработка структур
Рис. 1. СЭМ изображение боковой стенки структуры в GaAs, протравленной в плазме Cl2+BCl3
Рис. 1. СЭМ изображение боковой стенки структуры в GaAs, протравленной в плазме Cl2+BCl3
Рис. 2. СЭМ изображение протравленной канавки в GaAs шириной 3 мкм
Рис. 2. СЭМ изображение протравленной канавки в GaAs шириной 3 мкм
Рис. 3. Профиль травления InN, снятый на интерферометре Talysurf CCI 2000
Рис. 3. Профиль травления InN, снятый на интерферометре Talysurf CCI 2000
Одним из преимуществ установки PlasmaLab 80 в антикоррозионном исполнении является возможность работать с химически-агрессивными газами, такими как хлор и трихлорид бора. Это позволяет проводить травление A3B5 материалов: арсенида и нитрида галлия, нитрида индия и др. В частности, в плазме Cl2+BCl3 были протравлены U-образные канавки в GaAs на глубину несколько микрон. Дно канавок после травления было гладким, а боковые стенки вертикальными. Наличие источника высокой плотности плазмы позволяет травить GaN и InN с высокой скоростью без увеличения ёмкостной мощности. При этом профиль травления указанных материалов по всей площади образца получается однородным.

Оборудование

Контактное лицо

Охапкин Андрей Игоревич, н.с. ИФМ РАН

poa89@ipmras.ru

+7 (831) 417−94−50

Публикации

  • А.И. Охапкин, С.А. Краев, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, С.А. Королев, М.В. Зорина. Обработка поверхности арсенида галлия после травления в плазме C2F5Cl, Письма в ЖТФ, 2023, т. 49, № 19, с. 39-42
  • А.И. Бобров, Н.В. Байдусь, С.В. Хазанова, А.П. Горшков, К.В. Сидоренко, А.Н. Шушунов, Н.В. Малехонова, А.В. Нежданов, А.В. Здоровейщев, В.Н. Трушин, Е.В. Убыйвовк, А.И. Охапкин, Д.С. Клементьев, З.Ш. Гасайниев, А.В. Харламов. Проектирование дизайна туннельно-связанных квантовых ям для создания модулятора по схеме Маха–Цендера, ФТП, 2022, т. 56, № 9, с. 833-838
  • А.И. Охапкин, С.А. Краев, Е.А. Архипова, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин, П.А. Юнин, М.Н. Дроздов. Влияние параметров индуктивно-связанной плазмы хлорпентафторэтана на скорость и характеристики травления арсенида галлия, ФТП, 2022, т. 56, № 7,с. 685-688
  • А.И.  Охапкин,  С.А. Краев,  Е.А. Архипова,  В.М. Данильцев,  О.И. Хрыкин,  П.А. Юнин, М.Н. Дроздов. Влияние добавки хлорпентафторэтана в составе хлорсодержащей плазмы на скорость и характеристики профиля травления арсенида галлия, ФТП, 2021, т. 55, № 10, с. 837-840
  • Ю.Н. Дроздов, С.А. Краев, А.И. Охапкин, В.М. Данильцев, Е.В. Скороходов. Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках, ФТП, 2020, т.54, № 9, с. 958-961.

Возврат к списку