Полирующее травление поверхности монокристаллических алмазных подложек
Рис. 1. а - зависимость скорости травления монокристаллического алмаза от мощности емкостного разряда и величины напряжения смещения; б - среднеквадратичная шероховатость алмазной поверхности до и после травления
Рис. 2. АСМ изображения поверхности монокристаллической алмазной подложки: а - до обработки в ICP; б - после обработки в ICP
Обработка монокристаллических алмазных подложек в индуктивно-связанной плазме Cl2/Ar способствует очистке поверхности от наноразмерных частиц, оставшихся после механической полировки, которые невозможно удалить стандартными жидкостными методами. В результате такой ICP-обработки существенно снижается среднеквадратичная шероховатость поверхности, что позволяет выращивать на ней гомоэпитаксиальные слои CVD-алмаза с высоким кристаллическим совершенством для создания диодов Шоттки и p-i-n диодов с большой плотностью тока.