Рентгеновский дифракционный анализ эпитаксиальных слоев на дифрактометре Bruker D8 Discover
Оборудование
Контактное лицо
Стоимость
10000 руб./час без НДСРезультаты
- Определение параметров структур кремний-на-изоляторе методами рентгеновской рефлектометрии и дифрактометрии
- Исследование транзисторных структур на основе AlGaN методами высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии, картирования обратного пространства и малоугловой рефлектометрии
- Определение параметров квантовых ям InGaAs в структурах HEMT транзисторов на основе A3B5
- Определение параметров структур квантово-каскадных лазеров методом высокоразрешающий рентгеновской дифрактометрии
Публикации
• P.A. Yunin, M.N. Drozdov, A.V. Novikov, V.B. Shmagin, E.V. Demidov, A.N. Mikhailov, D.I. Tetelbaum, A.I. Belov, Complex Diagnostics of Silicon-on-Insulator Layers after Ion Implantation and Annealing, Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 18 (2024) 586-593.• N. Kumar, N.V. Surovtsev, P.A. Yunin, D.V. Ishchenko, I.A. Milekhin, S.P. Lebedev, A.A. Lebedev, O.E. Tereshchenko, Raman scattering spectroscopy of MBE grown thin film topological insulator Bi2−xSbxTe3−ySey, PCCP, 26 (2024) 13497-13505
• P.A. Yunin, Y.N. Drozdov, M.N. Drozdov, O.I. Khrykin, V.I. Shashkin, Quantitative SIMS depth profiling of Al in AlGaN/AlN/GaN HEMT structures with nanometer-thin layers, Surf. Interface Anal., 49 (2017) 117-121
• М.В. Ревин, Э.А. Коблов, Д.С. Смотрин, В.А. Иванов, А.П. Котков, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин, М.Н. Дроздов, П.А. Юнин, Л. Д. Молдавская, В.И. Шашкин Транзисторные псевдоморфные гетероструктуры на основе (Al-In-Ga)As, выращенные методом металлоорганической газофазной эпитаксии, НМСТ, 2017, т. 19, вып. 11, с. 649-653
• L.I. Goray, E.V. Pirogov, M.S. Sobolev, A.S. Dashkov, M.M. Borisov, S.N. Yakunin, A.L. Vasiliev, P.A. Yunin, A.D. Bouravleuv, Fine characterization of MBE-grown super-multiperiod AlGaAs/GaAs superlattices designed for THz radiation sources, Mater. Sci. Semicond. Process., 169 (2024) 107875
• П.А. Юнин, А.Д. Филатов, М.В. Ревин, А.В. Нежданов, И.В. Макарцев, А.П. Горшков, В.А. Беляков, Д.О. Филатов, П.Б. Болдыревский, Влияние разориентации подложки на свойства p-НЕМТ наногетероструктур на основе GaAs, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии, Журнал технической физики, 92 (2022) 1582
• P. Quach, A. Jollivet, A. Babichev, N. Isac, M. Morassi, A. Lemaitre, P.A. Yunin, E. Frayssinet, P. de Mierry, M. Jeannin, A. Bousseksou, R. Colombelli, M. Tchernycheva, Y. Cordier, F.H. Julien, A 5.7 THz GaN/AlGaN quantum cascade detector based on polar step quantum wells, Appl. Phys. Lett., 120 (2022) 171103