Исследование транзисторных структур на основе AlGaN методами высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии, картирования обратного пространства и малоугловой рефлектометрии
рентгенодифракционная карта обратного пространства вблизи отражения (104) транзисторной структуры на основе GaN на подложке SiC
одномерный 2θ/ω скан для отражения (0002) той же структуры
2θ/ω скан для отражения (0002) транзисторной структуры на основе GaN на подложке сапфира
кривая малоугловой рефлектометрии для той же структуры с пассивирующим слоем нитрида кремния
Возможности рентгеновского дифрактометра Bruker D8 Discover позволяют осуществлять съемку одномерных и двумерных (карт обратного пространства) сканов в режиме высокого разрешения. Эти возможности были реализованы в методиках анализа гетероэпитаксиальных структур на основе GaN. Комбинация картирования обратного пространства, съемок кривых качания, одномерных сканов в высоком разрешении и кривых малоугловой рефлектометрии позволяет наиболее полно охарактеризовать структурные свойства HEMT структур на основе GaN: толщины и составы слоёв, степень релаксации и остаточные упругие напряжения, ширины кривых качания и плотности прорастающих дислокаций, контроль толщины пассивирующих и контактных слоёв.
Оборудование
Контактное лицо
Публикации
• P. Quach, A. Jollivet, A. Babichev, N. Isac, M. Morassi, A. Lemaitre, P.A. Yunin, E. Frayssinet, P. de Mierry, M. Jeannin, A. Bousseksou, R. Colombelli, M. Tchernycheva, Y. Cordier, F.H. Julien, A 5.7 THz GaN/AlGaN quantum cascade detector based on polar step quantum wells, Appl. Phys. Lett., 120 (2022) 171103• N.V. Vostokov, M.N. Drozdov, S.A. Kraev, D.N. Lobanov, A.V. Novikov, P.A. Yunin, All-epitaxial Al/AlGaN/GaN low-barrier Schottky diodes, Appl. Phys. Lett., 121 (2022) 233507
• П.А. Юнин, О.И. Хрыкин, С.А. Краев, М.Н. Дроздов, Н.В. Востоков, Влияние термического отжига на транспортные свойства низкобарьерных диодов Мотта Ti/AlGaN/GaN, Физика и техника полупроводников, 56 (2022) 627
• P.A. Yunin, Y.N. Drozdov, M.N. Drozdov, O.I. Khrykin, V.I. Shashkin, Quantitative SIMS depth profiling of Al in AlGaN/AlN/GaN HEMT structures with nanometer-thin layers, Surf. Interface Anal., 49 (2017) 117-121
• N.V. Vostokov, M.N. Drozdov, O.I. Khrykin, P.A. Yunin, V.I. Shashkin, Low-barrier Mott diodes with near-surface polarization-induced δ-doping, Appl. Phys. Lett., 116 (2020) 013505