Определение параметров структур кремний-на-изоляторе методами рентгеновской рефлектометрии и дифрактометрии
Рентгеновская дифрактограмма приборного слоя кремния, имплантированного ионами фосфора в структуре «кремний на изоляторе»
кривая малоугловой рефлектометрии для структуры «кремний на изоляторе»
Методами рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии на дифрактометре Bruker D8 Discover возможно исследование структур «кремний на изоляторе». Дифрактометрия позволяет получать информацию о кристаллическом приборном слое кремния – толщина, деформация, легирование, дефектность и т.д. Рефлектометрия дает информацию о толщине и устройстве интерфейсов в аморфном заглубленном слое диэлектрика. В ИФМ РАН разработаны методики совместной диагностики структур, позволяющие оптимизировать процессы их изготовления и процессинга.
Оборудование
Контактное лицо
Публикации
• С.В. Оболенский, М.Н. Дроздов, П.А. Юнин, Н.Д. Абросимова, Влияние дозы имплантации водорода на релаксацию электрофизических характеристик структур "кремний-на-изоляторе" после воздействия рентгеновского излучения, Физика и техника полупроводников, 56 (2022) 75• Н.А. Байдакова, А.И. Бобров, М.Н. Дроздов, А.В. Новиков, Д.А. Павлов, М.В. Шалеев, П.А. Юнин, Д.В. Юрасов, З.Ф. Красильник Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках ”напряженный кремний-на-изоляторе“ с тонким слоем окисла, ФТП, 2015, Т. 49, вып. 8, с. 1129-11353
• P.A. Yunin, M.N. Drozdov, A.V. Novikov, V.B. Shmagin, E.V. Demidov, A.N. Mikhailov, D.I. Tetelbaum, A.I. Belov, Complex Diagnostics of Silicon-on-Insulator Layers after Ion Implantation and Annealing, Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 18 (2024) 586-593