Определение параметров квантовых ям InGaAs в структурах HEMT транзисторов на основе A3B5
Дифрактограммы HEMT структур на основе (Al,In,Ga)As c различным содержанием индия в квантовой яме InGaAs. Количественное сравнение степени дефектности структур с помощью статического фактора Дебая-Валера-Кривоглаза
Эксперимент и моделирование дифрактограммы HEMT структуры на основе A3B5 со слоями InGaAs/InGaP
Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия с использованием дифрактометра Bruker D8 Discover позволяет оперативно проводить неразрушающую диагностику структурных параметров HEMT структур на основе соединений A3B5. Моделирование и подгонка расчётных дифрактограмм позволяет определять толщины и составы слоев, степень релаксации и количественно оценивать их структурное совершенство, что очень важно для оптимизации и корректировки технологических процессов при промышленном изготовлении HEMT структур. Имеется большой опыт диагностики и взаимодействия с научно-производственными организациями, разработано множество методик анализа, есть научные публикации по данной теме.
Оборудование
Контактное лицо
Публикации
• М.В. Ревин, Э.А. Коблов, Д.С. Смотрин, В.А. Иванов, А.П. Котков, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин, М.Н. Дроздов, П.А. Юнин, Л. Д. Молдавская, В.И. Шашкин Транзисторные псевдоморфные гетероструктуры на основе (Al-In-Ga)As, выращенные методом металлоорганической газофазной эпитаксии, НМСТ, 2017, т. 19, вып. 11, с. 649-653• П.А. Юнин, А.Д. Филатов, М.В. Ревин, А.В. Нежданов, И.В. Макарцев, А.П. Горшков, В.А. Беляков, Д.О. Филатов, П.Б. Болдыревский, Влияние разориентации подложки на свойства p-НЕМТ наногетероструктур на основе GaAs, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии, Журнал технической физики, 92 (2022) 1582