Измерение стационарных, импульсных и высокочастотных электрофизических характеристик полупроводниковых структур и приборов

Проводятся исследования полупроводниковых структур и приборов различного назначения, относящихся к категориям сверхвысокочастотной электроники, силовой электроники, квантовой электроники и др. Доступны стационарные, импульсные и высокочастотные измерения исследуемых образцов. В наличии широкий спектр оборудования, позволяющий проводить измерения элементов как на пластине, так и приборов в корпусе. Обеспечен широкий диапазон параметров проводимых измерений, таких как величина напряжения и тока, частота и длительность сигнала, температура образца. Возможна характеризация готовых модулей и радиотехнических устройств, а также антенных систем.