Комплекс стендов для измерения стационарных, импульсных и высокочастотных электрофизических характеристик полупроводниковых структур и приборов

Комплекс включает в себя приборы для прецизионного измерения статических, импульсных и высокочастотных характеристик полупроводниковых структур и приборов в двух-, трёх- и четырёхтерминальной конфигурациях. Комплекс позволяет проводить исследования сверхвысокочастотных полупроводниковых структур и приборов в диапазоне частот до 300 ГГц. Комплекс обеспечивает возможность исследования полупроводниковых структур и приборов силовой электроники в диапазоне напряжений до 2000 В и в диапазоне токов до 16 A.  Оборудование комплекса позволяет проводить исследования электрофизических характеристик при повышенных температурах в диапазоне до 350 °C.