Измерение магнитооптических эффектов Керра и Фарадея в тонких магнитных плёнках

Измерения электрических и магнитных свойств
Исследуемая структура на специальном держателе помещается между полюсами электромагнита таким образом, чтобы магнитное поле было направлено вдоль поверхности пленки. Электромагнит позволяет получать однородное магнитное поле величиной до 4 кЭ (при протекающем через него токе 60 А). В эксперименте используется стабилизированный He-Ne лазер мощностью около 1 мВт. Лазер излучает в видимом диапазоне, длина волны λ = 0,63 мкм (красный свет), излучение линейно поляризовано (поляризатор необходим для согласования плоскости поляризации с плоскостью образца, что повышает чувствительность измерений). При отражении лазерного пучка от образца (или при прохождении через образец, в случае Эффекта Фарадея) происходит поворот плоскости поляризации света, определяемый направлением намагниченности образца. Отраженный (прошедший) луч, проходя через анализирующий поляризатор (анализатор), попадает на фотоприемник. В качестве приемника служит фоторезистор, сопротивление которого зависит от интенсивности светового потока (и не зависит от поляризации). Стенд предназначен для исследования металлических магнитных наноструктур, когда угол поворота плоскости поляризации составляет 10 -4 –10 -1 градуса. В эксперименте используется схема скрещенных поляризаторов, т. е. после прохождения анализатора интенсивность света очень мала (много меньше интенсивности падающего излучения), что позволяет измерять малые сигналы.

Контактное лицо

Гусев Никита Сергеевич, ведущий технолог ИФМ РАН

gusevns@ipmras.ru

+7 (831) 417−94−89 (+126)

MainTechnologist

Пашенькин Игорь Юрьевич, н.с. ИФМ РАН

pashenkin@ipmras.ru

+7 (831) 417−94−89 (+126)

Стоимость

5000 руб./час без НДС

Заказчики

• Институт физики микроструктур РАН
• Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
• Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова
• Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики
• Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
• Институт радиотехники и электроники им. В.А.КотельниковаРАН
• Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского
• Национальный исследовательский университет ИТМО

Возврат к списку