Лазерная литография с использованием лазерного генератора микроизображений mPG101
Лазерная литография – это технологический процесс, состоящий из четырёх основных этапов. Нулевой этап производится по необходимости и зависит от степени загрязнения поверхности пластины. Механический мусор удаляется при помощи ультразвуковой обработки в керамической чашке с изопропиловым спиртом или деионизованной водой. Более сложные загрязнения удаляются либо при помощи последовательной очистке в толуоле – ацетоне - изопропиловом спирте с применением ультразвука, либо при помощи последовательного окунания в 30% раствор KOH и дихромата калия. Удаление остатков жидкостей происходит при помощи центрифугирования в специальной кювете. На первом этапе осуществляется нанесение светочувствительного полимерного слоя (фоторезиста), на чистую поверхность пластины методом центрифугирования при оборотах от 500 до 5000 в минуту. После подложка с фоторезистом сушится в духовом шкафу от 1 до 30 минут при температуре от 90о до 120о градусов, параметры сушки зависят от производителя и марки фоторезиста. На втором этапе происходит экспонирование при помощи лазерного генератора, при этом за счёт селективного воздействия сфокусированного лазерного излучения локально изменяются свойства фоторезиста - меняется его растворимость. Третий этап – это проявление в ходе которого происходит удаление либо экспонированных, либо неэкспонированных областей фоторезиста, в зависимости от того какого типа фоторезист использовался: позитивный или негативный, соответственно. Проявление осуществляется методом окунания в слабый раствор КCl (концентрация зависит от типа фоторезиста). Опционально, фоторезист может быть задублен. Далее, сформированный полимерный слой с рисунком может быть использован в качестве маски, как при сухом так и при жидкостным травлением. Или может быть использован как буферный слой при проведении процедуры “Lift-off”.
Оборудование
Контактное лицо
Гусев Никита Сергеевич, ведущий технолог ИФМ РАН
+7 (831) 417−94−89 (+126)
Стоимость
10000 руб./час без НДСРезультаты
- Туннельные магниторезистивные контакты
- Внешний эффект Холла в туннельных контактах
- Локально деформированные Ge-микроструктуры
- Обратный эффект спин-холла
- Топологический эффект Холла
- Микромосты с управляемым сверхпроводящим состоянием
- Спиновые волны в структурах на основе YIG
- Планарные микрорезонаторы на основе гетероструктур HgCdTe
- Магнитный переключатель терагерцового излучения
- Болометры на холодных электронах
- Мемристивные структуры
Заказчики
• Институт физики микроструктур РАН• Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
• Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова
• Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики
• Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
• Институт радиотехники и электроники им. В.А.КотельниковаРАН
• Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского
• Крымский федеральный университет имени В. И. Вернадского
• Национальный исследовательский университет ИТМО
• Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева
• ООО «Новые спинтронные технологии»
• ООО «Поликетон»
• Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики имени А. В. Гапонова-Грехова РАН
