Туннельные магниторезистивные контакты
При помощи лазерной литографии были изготовлены как одиночные, так и цепочки состоящие из туннельных магнитных контактов. Магнитосопротивление в таких структурах достигало 200% при комнатной температуре.
Оборудование
Контактное лицо
Гусев Никита Сергеевич, ведущий технолог ИФМ РАН
+7 (831) 417−94−89 (+126)
Публикации
• Пашенькин, И. Ю. Туннельные магниторезистивные элементы для датчиков магнитного поля / И. Ю. Пашенькин, М. В. Сапожников, Н. С. Гусев, В. В. Рогов, Д. А. Татарский, А. А. Фраерман // Журнал технической физики. — 2019. — т. 89, вып. 11. — С. 1732–1735.• Пашенькин, И. Ю. Магнитоэлектрический эффект в туннельных магниторезистивных контактах CoFeB/MgO/CoFeB / И. Ю. Пашенькин, М. В. Сапожников, Н. С. Гусев, В. В. Рогов, Д. А. Татарский, А. А. Фраерман, М. Н. Волочаев // Письма в ЖЭТФ. — 2020. — т. 111, вып. 12, С. 815.
• Пашенькин, И.Ю.Вихревые туннельные магнитные контакты с композитным свободным слоем / И.Ю. Пашенькин, Е.В.Скороходов, M.В. Сапожников и др. // Журнал технической физики. — 2023. — т. 93, вып. 11. — С. 1616–1621.
• Fedotov, I. A. Creation of SubmicrometerMagnetoresistive Tunnel Junction CoFeB/MgO/CoFeB Using an HSQ/PMMA Resistive Mask / I. A. Fedotov, I. Yu. Pashen’kin, E. V. Skorokhodov, N. S. Gusev // Phys. Met. Metall. — 2024. — Vol. 125, no. 2. — P. 124–128.
• Pashen’kin, I. Yu. Magnetization Reversal of Magnetic Tunnel Junctions by Low-Current Pulses / I. Yu.Pashen’kin, N. S. Gusev, D. A. Tatarskiy, M.V. Sapozhnikov // IEEE Trans. Electron Devices. — 2024. — Vol. 71, no. 4. —P. 2755–2759.