Лазерный генератор микро-изображений mPG101
Контактное лицо
Гусев Никита Сергеевич, ведущий технолог ИФМ РАН
+7 (831) 417−94−89 (+126)
Описание установки
Оборудование представляет собой систему прямого лазерного экспонирования, которая позволяет создавать фоторезистивные маски на различных подложках, исключая необходимость использования фотошаблонов. Данная технология широко применяется в научных исследованиях, таких как: создание фотонных кристаллов и волноводов, для работ в области нанофотоники и метаматериалов, прототипирование специализированных интегральных схем, изготовление MEMS/NEMS структур, прототипирование датчиков и биосенсоров, а также изготовление самих литографических масок (фотошаблонов).Результаты
- Туннельные магниторезистивные контакты
- Внешний эффект Холла в туннельных контактах
- Локально деформированные Ge-микроструктуры
- Обратный эффект спин-холла
- Топологический эффект Холла
- Микромосты с управляемым сверхпроводящим состоянием
- Спиновые волны в структурах на основе YIG
- Планарные микрорезонаторы на основе гетероструктур HgCdTe
- Магнитный переключатель терагерцового излучения
- Болометры на холодных электронах
- Мемристивные структуры
Технические характеристики
• Длина волны лазера - 405нм• Мощность лазера - 100мВт
• Точность позиционирования - 0.5 мкр
• Минимальный размер элемента - 1 мкр
• Материал пластин - Si, SiO2, GaAS, Si3N4, Al2O3, LiNbO, PMN-Pt
• Размер пластин - от 3х3мм до 100х100 мм
• Толщина пластин - от 100 до 10000 мкр
• Возможность совмещения шаблонов по меткам
• Точность совмещения - от 200 нм
• Скорость экспонирования - 2 мм2/мин
• Шаблоны в формате - *.dxf и *.gds
