Лазерный генератор микро-изображений mPG101

Лазерный генератор микро-изображений mPG101
Лазерный генератор микро-изображений mPG101

Контактное лицо

Гусев Никита Сергеевич, ведущий технолог ИФМ РАН

gusevns@ipmras.ru

+7 (831) 417−94−89 (+126)

MainTechnologist

Описание установки

Оборудование представляет собой систему прямого лазерного экспонирования, которая позволяет создавать фоторезистивные маски на различных подложках, исключая необходимость использования фотошаблонов. Данная технология широко применяется в научных исследованиях, таких как: создание фотонных кристаллов и волноводов, для работ в области нанофотоники и метаматериалов, прототипирование специализированных интегральных схем, изготовление MEMS/NEMS структур, прототипирование датчиков и биосенсоров, а также изготовление самих литографических масок (фотошаблонов).

Технические характеристики

• Длина волны лазера - 405нм
• Мощность лазера - 100мВт
• Точность позиционирования - 0.5 мкр
• Минимальный размер элемента - 1 мкр
• Материал пластин - Si, SiO2, GaAS, Si3N4, Al2O3, LiNbO, PMN-Pt
• Размер пластин - от 3х3мм до 100х100 мм
• Толщина пластин - от 100 до 10000 мкр
• Возможность совмещения шаблонов по меткам
• Точность совмещения - от 200 нм
• Скорость экспонирования - 2 мм2/мин
• Шаблоны в формате - *.dxf и *.gds

Возврат к списку