Локально деформированные Ge-микроструктуры

Литография
При помощи лазерной литографии были изготовлены свободновисящие микроструктуры.  В работе исследовались процессы  формирования и свойства локально растянутых микромостов на основе слоёв германия, выращенных на кремниевых подложках. Теоретически анализируется распределение упругих деформаций в подвесных германиевых микромостах.

Оборудование

Контактное лицо

Гусев Никита Сергеевич, ведущий технолог ИФМ РАН

gusevns@ipmras.ru

+7 (831) 417−94−89 (+126)

MainTechnologist

Публикации

• A. V. Novikov, D. V. Yurasov, E. E. Morozova, E. V. Skorohodov, V. A. Verbus, A. N. Yablonskiy, N. A. Baidakova, N. S. Gusev, K. E. Kudryavtsev, A. V. Nezhdanov, and A. I. Mashin, Formation and Properties of Locally Tensile Strained Ge Microstructures for Silicon Photonics Semiconductors, (2018), Vol. 52, No. 11, pp. 1442–1447

Возврат к списку