Обратный эффект спин-холла

При помощи лазерной литографии были изготовлены структуры, в которых экспериментально наблюдался обратный спин-холловский эффект в кремнии n-типа, когда проводимые электроны рассеивались на спин-орбитальном потенциале висмута. Спиновый ток в слое кремния генерировался путем возбуждения прецессии намагниченности в режиме ферроманитного резонанса в тонком слое пермаллоя, осажденном на слой кремния, легированный фосфором и висмутом. На основе угловых зависимостей постоянного напряжения для различных структур Py/n-Si:Bi, ориентированных вдоль кристаллографических осей [011] или [100], удалось разделить вклады планарного эффекта Холла и ОСХЭ обратный спин-холловский эффект.