Подготовка образцов для исследования методами просвечивающей электронной микроскопии с использованием комплекта оборудования Fischione
Прибор используется для ионного утонения (ion milling) — процесса, при котором материал образца удаляется слой за слоем с помощью бомбардировки ионами, чтобы достичь необходимой тонкости для анализа.
Процессы, осуществляемые на приборе:
· Загрузка образца: образец (фольга, кристалл, полупроводниковый чип или биоматериал) фиксируется на стандартной TEM-сетке (диаметром 3 мм) и помещается в вакуумную камеру прибора.
· Создание вакуума и ионизация: камера откачивается до высокого вакуума (10-5–10-6 Торр). Аргон (Ar) подаётся в ионные пушки, где газ ионизируется под высоким напряжением (1–6 кВ), образуя пучок ускоренных ионов Ar+.
· Бомбардировка и утонение: ионы из двух пушек (с регулируемым углом) бомбардируют образец с обеих сторон. Ионы "выбивают" атомы материала (спуттеринг), удаляя его равномерно. Процесс длится от 30 мин до нескольких часов, в зависимости от материала и желаемой толщины.
· Режимы: перфорация (создание отверстия с тонкими краями) или финишное утонение (равномерное истончение).
· Контроль: автоматический мониторинг тока, напряжения, времени и толщины; охлаждение образца водой или азотом для предотвращения перегрева.
· Выгрузка: после завершения образец извлекается; поверхность очищается от остатков (опционально ультразвуком).
Цель:
Основная цель: подготовка ультратонких (50–100 нм или меньше) "прозрачных" для электронов образцов для просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ, или TEM). Толстые образцы (>1 мкм) поглощают или рассеивают электронный пучок, не давая чётких изображений; утонение решает эту проблему.
Применение:
· Материаловедение: анализ микроструктуры (дислокации, фазы, наночастицы, дефекты) в металлах, сплавах, полупроводниках (например, Si, GaAs) и композитах.
· Нанотехнологии: изучение интерфейсов в FM/AFM структурах, магнитных вихрей или квантовых точек; подготовка для высокорезолюционного TEM (HRTEM) или сканирующего TEM (STEM).
· Биология и медицина: утонение тканей, клеток или вирусов для визуализации ультраструктуры (например, митохондрий или белковых комплексов).
· Другие: подготовка к электро-дифракции, EDS-анализу (элементный состав) или EELS (электронно-энергетическая потеря) для химического картирования.услуги.
Процессы, осуществляемые на приборе:
· Загрузка образца: образец (фольга, кристалл, полупроводниковый чип или биоматериал) фиксируется на стандартной TEM-сетке (диаметром 3 мм) и помещается в вакуумную камеру прибора.
· Создание вакуума и ионизация: камера откачивается до высокого вакуума (10-5–10-6 Торр). Аргон (Ar) подаётся в ионные пушки, где газ ионизируется под высоким напряжением (1–6 кВ), образуя пучок ускоренных ионов Ar+.
· Бомбардировка и утонение: ионы из двух пушек (с регулируемым углом) бомбардируют образец с обеих сторон. Ионы "выбивают" атомы материала (спуттеринг), удаляя его равномерно. Процесс длится от 30 мин до нескольких часов, в зависимости от материала и желаемой толщины.
· Режимы: перфорация (создание отверстия с тонкими краями) или финишное утонение (равномерное истончение).
· Контроль: автоматический мониторинг тока, напряжения, времени и толщины; охлаждение образца водой или азотом для предотвращения перегрева.
· Выгрузка: после завершения образец извлекается; поверхность очищается от остатков (опционально ультразвуком).
Цель:
Основная цель: подготовка ультратонких (50–100 нм или меньше) "прозрачных" для электронов образцов для просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ, или TEM). Толстые образцы (>1 мкм) поглощают или рассеивают электронный пучок, не давая чётких изображений; утонение решает эту проблему.
Применение:
· Материаловедение: анализ микроструктуры (дислокации, фазы, наночастицы, дефекты) в металлах, сплавах, полупроводниках (например, Si, GaAs) и композитах.
· Нанотехнологии: изучение интерфейсов в FM/AFM структурах, магнитных вихрей или квантовых точек; подготовка для высокорезолюционного TEM (HRTEM) или сканирующего TEM (STEM).
· Биология и медицина: утонение тканей, клеток или вирусов для визуализации ультраструктуры (например, митохондрий или белковых комплексов).
· Другие: подготовка к электро-дифракции, EDS-анализу (элементный состав) или EELS (электронно-энергетическая потеря) для химического картирования.услуги.
Контактное лицо
Стоимость
10000 руб./час без НДСЗаказчики
• Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики имени А. В. Гапонова-Грехова РАН;• Институт физики микроструктур РАН;
• НГТУ им. Р.Е. Алексеева;
• МГУ им. М.В. Ломоносова;
• ННГУ им. Н.И. Лобачевского.
