Подготовка образцов для исследования методами просвечивающей электронной микроскопии с использованием комплекта оборудования Fischione

Электронная микроскопия
Прибор используется для ионного утонения (ion milling) — процесса, при котором материал образца удаляется слой за слоем с помощью бомбардировки ионами, чтобы достичь необходимой тонкости для анализа. 

Процессы, осуществляемые на приборе:
·         Загрузка образца: образец (фольга, кристалл, полупроводниковый чип или биоматериал) фиксируется на стандартной TEM-сетке (диаметром 3 мм) и помещается в вакуумную камеру прибора.
·         Создание вакуума и ионизация: камера откачивается до высокого вакуума (10-5–10-6 Торр). Аргон (Ar) подаётся в ионные пушки, где газ ионизируется под высоким напряжением (1–6 кВ), образуя пучок ускоренных ионов Ar+.
·         Бомбардировка и утонение: ионы из двух пушек (с регулируемым углом) бомбардируют образец с обеих сторон. Ионы "выбивают" атомы материала (спуттеринг), удаляя его равномерно. Процесс длится от 30 мин до нескольких часов, в зависимости от материала и желаемой толщины.
·         Режимы: перфорация (создание отверстия с тонкими краями) или финишное утонение (равномерное истончение).
·         Контроль: автоматический мониторинг тока, напряжения, времени и толщины; охлаждение образца водой или азотом для предотвращения перегрева.
·         Выгрузка: после завершения образец извлекается; поверхность очищается от остатков (опционально ультразвуком). 

Цель:
Основная цель: подготовка ультратонких (50–100 нм или меньше) "прозрачных" для электронов образцов для просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ, или TEM). Толстые образцы (>1 мкм) поглощают или рассеивают электронный пучок, не давая чётких изображений; утонение решает эту проблему. 

Применение:
·         Материаловедение: анализ микроструктуры (дислокации, фазы, наночастицы, дефекты) в металлах, сплавах, полупроводниках (например, Si, GaAs) и композитах.
·         Нанотехнологии: изучение интерфейсов в FM/AFM структурах, магнитных вихрей или квантовых точек; подготовка для высокорезолюционного TEM (HRTEM) или сканирующего TEM (STEM).
·         Биология и медицина: утонение тканей, клеток или вирусов для визуализации ультраструктуры (например, митохондрий или белковых комплексов).
·         Другие: подготовка к электро-дифракции, EDS-анализу (элементный состав) или EELS (электронно-энергетическая потеря) для химического картирования.услуги.

Контактное лицо

Орлова Анастасия Николаевна, м.н.с. ИФМ РАН

orlova.anastasia@ipmras.ru

+79202543075

Стоимость

10000 руб./час без НДС

Заказчики

• Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики имени А. В. Гапонова-Грехова РАН;
• Институт физики микроструктур РАН;
• НГТУ им. Р.Е. Алексеева;
• МГУ им. М.В. Ломоносова;
• ННГУ им. Н.И. Лобачевского.

Возврат к списку