Исследование люминесцентных характеристик низкоразмерных полупроводниковых и диэлектрических структур методом спектроскопии микро-ФЛ и микро-ЭЛ с высоким спектральным (до 0.01 см-1) и пространственным (до 1 мкм) разрешением в видимом и ближнем ИК диапазон

Исследование люминесцентных характеристик низкоразмерных полупроводниковых и диэлектрических структур методом спектроскопии микро-ФЛ и микро-ЭЛ с высоким спектральным (до 0.01 см-1) и пространственным (до 1 мкм) разрешением в видимом и ближнем ИК диапазонах в интервале температур от 4.2 до 300 К

Описание методики микро-ФЛ и микро-ЭЛ …
высокочувствительный Ge фотоприемник ближнего ИК диапазона (1-1.7 мкм), используемого для исследования спектров фото- и электролюминесценции различных полупроводниковых структур, излучающих в данном спектральном диапазоне.