Измерение временных характеристик фотоотклика узкозонных полупроводниковых структур

Измерение временных характеристик фотоотклика (фотопроводимость, фотолюминесценция) узкозонных полупроводниковых пленок и гетероструктур с наносекундным временным разрешением при накачке узкополосным излучением среднего ИК-диапазона. Диапазон перестройки длины волны накачки ~2-17 мкм, длительность лазерных импульсов ~10 нс. Измерения возможно проводить в широком диапазоне температур и значений плотности мощности возбуждения.