Ионно-пучковое травление, полировка и коррекция формы поверхности малогабаритными и квазипараллельными ионными пучками с использованием стенда ионно-пучкового травления
В рамках оказываемой услуги производится ионно-пучковое травление образца заказчика. Возможно проведение ионной полировки (снижение микрошероховатости поверхности в диапазоне пространственных частот q = [2.5‧10⁻² – 6.3‧10¹ мкм⁻¹]) и ионной коррекции локальных ошибок формы поверхности малоразмерным ионным пучком (в диапазоне пространственных частот q = [2.8‧10⁻6 – 9.5‧10-4 мкм⁻¹]).
С использованием стенда ионно-пучкового травления выполняется финишная обработка оптических поверхностей с помощью ионных пучков для достижения ангстремной микрошероховатости, придания им сложной асферической формы и достижения субнанометровой точности. Данная услуга применяется для создания высокоэффективной оптики, работающей в экстремально коротковолновых диапазонах – вакуумный ультрафиолет (ВУФ), экстремальный ультрафиолет (ЭУФ) и рентгеновское излучение.
А также с использованием стенда может быть выполнено ионное травление для задач ионной литографии через резистивную маску, ионное утонение образцов, придание рельефа, наноструктурирование (обсуждается индивидуально).
Ключевые особенности и уникальные возможности:
Разработанные в ИФМ РАН стенды ионно-пучкового травления позволяют достичь точности формы поверхности, недостижимой для традиционных методов механической обработки. А также создавать сложные асферические, в том числе, неосесимметричные оптические элементы. Разработанные технологии обеспечивает предсказуемое и управляемое распыление материала без механического контакта и образования внутренних напряжений.
Результат оказания услуги:
Вы получаете готовые оптические компоненты, которые соответствуют жестким требованиям для работы в коротковолновом диапазоне (ЖР, МР, ЭУФ, ВУФ), обеспечивая дифракционное качество и максимальное разрешение для ваших (рентгено)оптических систем. Данные технологии частично применимы и для других диапазонов электромагнитного излучения: СВЧ, ИК, видимого, УФ (обсуждается индивидуально).
С использованием стенда ионно-пучкового травления выполняется финишная обработка оптических поверхностей с помощью ионных пучков для достижения ангстремной микрошероховатости, придания им сложной асферической формы и достижения субнанометровой точности. Данная услуга применяется для создания высокоэффективной оптики, работающей в экстремально коротковолновых диапазонах – вакуумный ультрафиолет (ВУФ), экстремальный ультрафиолет (ЭУФ) и рентгеновское излучение.
А также с использованием стенда может быть выполнено ионное травление для задач ионной литографии через резистивную маску, ионное утонение образцов, придание рельефа, наноструктурирование (обсуждается индивидуально).
Ключевые особенности и уникальные возможности:
Разработанные в ИФМ РАН стенды ионно-пучкового травления позволяют достичь точности формы поверхности, недостижимой для традиционных методов механической обработки. А также создавать сложные асферические, в том числе, неосесимметричные оптические элементы. Разработанные технологии обеспечивает предсказуемое и управляемое распыление материала без механического контакта и образования внутренних напряжений.
Результат оказания услуги:
Вы получаете готовые оптические компоненты, которые соответствуют жестким требованиям для работы в коротковолновом диапазоне (ЖР, МР, ЭУФ, ВУФ), обеспечивая дифракционное качество и максимальное разрешение для ваших (рентгено)оптических систем. Данные технологии частично применимы и для других диапазонов электромагнитного излучения: СВЧ, ИК, видимого, УФ (обсуждается индивидуально).
Оборудование
Контактное лицо
Стоимость
4000 руб./час без НДСРезультаты
Заказчики
• ЦКП Сибирский кольцевой источник фотонов (СКИФ)• Институт космических исследований Российской академии наук (ИКИ РАН)
• Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» (МИЭТ)
• Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики имени А. В. Гапонова-Грехова РАН (ИПФ РАН)
• Институт физики микроструктур РАН (ИФМ РАН)
