Анализ тонких слоев методом рентгеновской рефлектометрии на дифрактометре Bruker D8 Discover

Диагностика структуры и состава

Контактное лицо

Юнин Павел Андреевич, зав. лаб., с.н.с. ИФМ РАН

yunin@ipmras.ru

+7 (831) 417−94−91

yunin_pavel

Стоимость

10000 руб./час без НДС

Публикации

• С. Н. Вдовичев, Ю. Н. Ноздрин, Е. Е. Пестов, П. А. Юнин, А. В. Самохвалов, Фазовые переходы в гибридных SFS структурах с тонкими сверхпроводящими слоями, Письма в ЖЭТФ, 2016, Т. 104, вып. 5, с. 336-341
• Юнин П.А., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Королев С.А., Лобанов Д.Н., Исследование многослойных полупроводниковых SiGe структур методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и масс-спектрометрии вторичных ионов, ФТП, 2013, том 47, вып. 12, с. 1580-1585
• P.A. Yunin, M.N. Drozdov, A.V. Novikov, V.B. Shmagin, E.V. Demidov, A.N. Mikhailov, D.I. Tetelbaum, A.I. Belov, Complex Diagnostics of Silicon-on-Insulator Layers after Ion Implantation and Annealing, Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 18 (2024) 586-593.
• С.В. Оболенский, М.Н. Дроздов, П.А. Юнин, Н.Д. Абросимова, Влияние дозы имплантации водорода на релаксацию электрофизических характеристик структур "кремний-на-изоляторе" после воздействия рентгеновского излучения, Физика и техника полупроводников, 56 (2022) 753
• П.А. Юнин, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, С.А. Королев, А.И. Охапкин, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин, Слои Si3N4 для in situ пассивации транзисторных структур на основе GaN, ФТП, 2015, Т. 49, вып. 11, с. 1469-1472
• N. Kumar, K. Panda, R.S. Pleshkov, A.V. Nezhdanov, V.N. Polkovnikov, P.A. Yunin, N.I. Chkhalo, High thermal stability of the reflectivity of Be/Al multilayer mirrors designed for extreme ultraviolet wavelength, Surfaces and Interfaces, 42 (2023) 103414

Возврат к списку