Обработка тонкопленочных структур и подложек с использованием ионно-плазменного комплекса
Травление – один из ключевых этапов постростовой обработки, применяемый для переноса литографического рисунка в функциональные слои структуры. Ионное травление (ion etching) – это процесс, при котором поверхностные слои материалов удаляются в результате физического распыления энергетическими ионами инертных газов. В результате взаимодействия ускоренного иона с атомом распыляемого материала возникает каскад упругих столкновений, результатом которого может стать передача поверхностному атому достаточной энергии и необходимого импульса нужной направленности (наружу из материала) для преодоления сил его связи на поверхности. Ионно-лучевое травление является одним из наиболее прецизионных способов травления, позволяющих сформировать рисунок с минимальными линейными размерами без уходов относительно маски.
Контактное лицо
Гусев Никита Сергеевич, ведущий технолог ИФМ РАН
+7 (831) 417−94−89 (+126)
Стоимость
5300 руб./час без НДСЗаказчики
• Институт физики микроструктур РАН• Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
• Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова
• Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики
• Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
• Институт радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова РАН
• Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского
• Крымский федеральный университет имени В. И. Вернадского
• Национальный исследовательский университет ИТМО
• Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева
• ООО «Новые спинтронные технологии»
