Ионное травление многослойных структур в масках оптических и электронных резистов для проведения транспортных исследований
Рис. 1.
а) – туннельный магниторезистивный контакт после ионного травления в маске PMMA/HSQ;
б) – после процедуры lift-off изолирующего диэлектрика
Отработаны режимы ионного травления многослойных наноструктур, при которых фоторезисты и электронный резист PMMA (MMA) не задубливаются и сохраняют способность к растворению, что позволяет проводить операцию электрической изоляции (lift-off изолирующего диэлектрика) в тех же масках.
а) – туннельный магниторезистивный контакт после ионного травления в маске PMMA/HSQ;
б) – после процедуры lift-off изолирующего диэлектрика
Отработаны режимы ионного травления многослойных наноструктур, при которых фоторезисты и электронный резист PMMA (MMA) не задубливаются и сохраняют способность к растворению, что позволяет проводить операцию электрической изоляции (lift-off изолирующего диэлектрика) в тех же масках.
Контактное лицо
Гусев Никита Сергеевич, ведущий технолог ИФМ РАН
+7 (831) 417−94−89 (+126)
Публикации
• Пашенькин, И. Ю. Туннельные магниторезистивные элементы для датчиков магнитного поля / И. Ю. Пашенькин, М. В. Сапожников, Н. С. Гусев, В. В. Рогов, Д. А. Татарский, А. А. Фраерман // Журнал технической физики. — 2019. — т. 89, вып. 11. — С. 1732–1735.• Пашенькин, И. Ю. Магнитоэлектрический эффект в туннельных магниторезистивных контактах CoFeB/MgO/CoFeB / И. Ю. Пашенькин, М. В. Сапожников, Н. С. Гусев, В. В. Рогов, Д. А. Татарский, А. А. Фраерман, М. Н. Волочаев // Письма в ЖЭТФ. — 2020. — т. 111, вып. 12, С. 815.
• Пашенькин, И.Ю.Вихревые туннельные магнитные контакты с композитным свободным слоем / И.Ю. Пашенькин, Е.В.Скороходов, M.В. Сапожников и др. // Журнал технической физики. — 2023. — т. 93, вып. 11. — С. 1616–1621.
• Fedotov, I. A. Creation of SubmicrometerMagnetoresistive Tunnel Junction CoFeB/MgO/CoFeB Using an HSQ/PMMA Resistive Mask / I. A. Fedotov, I. Yu. Pashen’kin, E. V. Skorokhodov, N. S. Gusev // Phys. Met. Metall. — 2024. — Vol. 125, no. 2. — P. 124–128.
• Pashen’kin, I. Yu. Magnetization Reversal of Magnetic Tunnel Junctions by Low-Current Pulses / I. Yu.Pashen’kin, N. S. Gusev, D. A. Tatarskiy, M.V. Sapozhnikov // IEEE Trans. Electron Devices. — 2024. — Vol. 71, no. 4. —P. 2755–2759.
• Pashenkin, I. Yu. Extrinsic tunnel Hall effect in MgO-based tunnel junc-tions / I. Yu. Pashenkin, M. V. Sapozhnikov, N. S. Gusev, E. A. Karashtin, A. A. Fraerman // Phys. Rev. B. — 2022. — Vol. 106, no. 22. — P. L220408.
• Караштин, Е. А. Эффект Холла в туннельных магнитных контактах / Е. А. Караштин, Н. С. Гусев, И. Ю. Пашенькин, М. В. Сапожников, А. А. Фраер-ман // ЖЭТФ. – 2023. – т. 163, вып. 1. – С. 5–13.
• S. S. Ustavschikov, M. Yu. Levichev, I.Yu. Pashenkin, A. M. Klushin and D. Yu. Vodolazov. Approaching depairing current in dirty thin superconducting strip covered by low resistive normal metal // Supercond. Sci. Technol. 34 015004 (2021)
• M. Yu. Levichev, I. Yu. Pashenkin, N. S. Gusev, and D. Yu. Vodolazov. Voltage controllable superconducting state in the multiterminal superconductor–normal-metal bridge // Phys. Rev. B 103, 174507 (2021)
• Ustavschikov, S.S., Levichev, M.Y., Pashen’kin, I.Y. et al. Negative Differential Resistance and Shapiro Steps in a Superconducting MoN Strip with a Cut. JetpLett. 115, 626–633 (2022)
• Ustavschikov, S.S., Levichev, M.Y., Pashenkin, I.Y. et al. Diode Effect in a Superconducting Hybrid Cu/MoN Strip with a Lateral Cut. J. Exp. Theor. Phys. 135, 226–230 (2022)
• S. S. Ustavschikov, M. Yu. Levichev, I. Yu. Pashen’kin, N. S. Gusev, S. A. Gusev, D. Yu. Vodolazov. Vortex Dynamics in Superconducting MoN Strip with a Side Cut // J. Exp. Theor. Phys. 137, 372–383 (2023)
• Levichev M.Y., Pashenkin I.Y.,Gusev N.S.,Vodolazov D.Y. Finite momentum superconductivity in superconducting hybrids: Orbital mechanism // Physical Review B 108(9), 094517 (2023)