Стенд ионно-плазменного комплекса для обработки структур
Контактное лицо
Гусев Никита Сергеевич, ведущий технолог ИФМ РАН
+7 (831) 417−94−89 (+126)
Описание установки
Стенд ионно-плазменного комплекса для обработки структур представляет собой вакуумный пост BalzersIEU 100, оборудованный сеточным источником ионов с холодным катодом КЛАН-53М (НТК «Платар»). Установка предназначена для ионного травления металлических и диэлектрических пленок и многослойных структур в масках фото- и электронных резистов. В качестве рабочего газа может быть использован чистый аргон, азот, смесь аргона и кислорода, источник ионов оснащен двумя регуляторами расхода газа. Вакуум в рабочей камере создается турбомолекулярным и форвакуумным пластинчато-роторным насосом и может достигать 2·10-6Торр.Технические характеристики
• Предельный вакуум –2·10-6 Торр;• Рабочее давление –не выше 6·10-4 Торр.
• Рабочий газ –аргон, азот, их смеси с кислородом;
• Выходной диаметр ионного пучка – 47 мм;
• Максимальный диаметр подложки – 50 мм;
• Максимальный ионный ток – 80 мА;
• Диапазон регулирования энергии ионов – 250-1500 эВ;
• Выходная плотность ионного тока – до 4 мА/см2;