Электронная литография с использованием аппаратно-программного комплекса электронной литографии ELPHY PLUS
Электронно-лучевая литография (ЭЛЛ) — это технология, использующая сфокусированный пучок электронов для создания произвольных наноразмерных структур на поверхности, покрытой специальным материалом — электронным резистом.
Этапы
1. Подготовка подложки: На подложку (кремниевая пластина, стекло и т.д.) наносится тонкий однородный слой электронного резиста.
2. Экспонирование: Сфокусированный пучок электронов сканирует поверхность по заданному виртуальному шаблону. В местах воздействия пучка происходит локальное изменение химической структуры резиста:
- для позитивного резиста: облученные области становятся растворимыми.
- для негативного резиста: облученные области становятся нерастворимыми.
3. Проявление: Подложка обрабатывается химическим раствором (проявителем), который удаляет растворимые области резиста, обнажая поверхность подложки в виде заданного рисунка.
4. Последующие операции: Через полученную маску проводятся процессы:
-Травление: Удаление незащищенных участков подложки.
-Напыление: Осаждение металла или диэлектрика.
5. Удаление резиста (лифт-офф): Оставшийся резист удаляется, оставляя на подложке готовую наноструктуру.
Этапы
1. Подготовка подложки: На подложку (кремниевая пластина, стекло и т.д.) наносится тонкий однородный слой электронного резиста.
2. Экспонирование: Сфокусированный пучок электронов сканирует поверхность по заданному виртуальному шаблону. В местах воздействия пучка происходит локальное изменение химической структуры резиста:
- для позитивного резиста: облученные области становятся растворимыми.
- для негативного резиста: облученные области становятся нерастворимыми.
3. Проявление: Подложка обрабатывается химическим раствором (проявителем), который удаляет растворимые области резиста, обнажая поверхность подложки в виде заданного рисунка.
4. Последующие операции: Через полученную маску проводятся процессы:
-Травление: Удаление незащищенных участков подложки.
-Напыление: Осаждение металла или диэлектрика.
5. Удаление резиста (лифт-офф): Оставшийся резист удаляется, оставляя на подложке готовую наноструктуру.
Контактное лицо
Стоимость
22000 руб./час без НДСРезультаты
Заказчики
- Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики имени А. В. Гапонова-Грехова РАН
- Институт физики микроструктур РАН
- Московский государственный университет им. Ломоносова
- Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева
- Саратовский государственный университет им. Чернышевского
- Крымский федеральный университет им.Вернадского
- Институт радиотехники и электроники им.Котельникова
