Формирование структур на диэлектрических подложках с металлическим покрытием
Рис. 1
Рис. 2
Рис. 1. Микрофотография фрагмента плазмонного интерферометра, полученная в сканирующем электронном микроскопе.
Рис. 2. Микрофотография фрагмента решетки Au полос на поверхности диэлектрической подложки.
При формировании наноструктур на поверхности диэлектрических подложек с металлическим покрытием была применена комбинированная технология, с использованием оптической, ионной и электронно-лучевой литографии. Этими способами формировались решетки наноразмерных металлических элементов различной конфигурации (щели, полоски и островки с линейными размерами элементов от нескольких десятков нм до 1 мкм, общей площадью до 200 х 200 мкм2) на диэлектрических подложках плавленого кварца или стекла.
Исходные двухслойные металлические пленки Ta/Au толщиной 30 нм наносились на диэлектрические подложки методом магнетронного напыления. Нанопленка Та была необходима для обеспечения хорошей адгезии Au к подложке. В маске PMMA, сформированной методом электронной литографии, методом ионного травления в атмосфере аргона осуществлялось травление пленки золота до диэлектрической подложки. Ионное травление в атмосфере аргона осуществлялось при рабочем давлении 2×10-3 Torr и ускоряющем напряжении 1200 V. На рис. 1 показан фрагмент плазмонного интерферометра, соответствующий минимальной дозе экспонирования электронного резиста. Из приведенного изображения на рис. 1 видно, что минимальная ширина щели плазмонного интерферометра равна ~ 100 нм.
Кроме щелей на металлизированной поверхности диэлектрика формировались массивы золотых полосок с размерами элементов от нескольких десятков нм до 1 мкм, общей площадью до 200 х 200 мкм2 (рис. 2).
Рис. 2. Микрофотография фрагмента решетки Au полос на поверхности диэлектрической подложки.
При формировании наноструктур на поверхности диэлектрических подложек с металлическим покрытием была применена комбинированная технология, с использованием оптической, ионной и электронно-лучевой литографии. Этими способами формировались решетки наноразмерных металлических элементов различной конфигурации (щели, полоски и островки с линейными размерами элементов от нескольких десятков нм до 1 мкм, общей площадью до 200 х 200 мкм2) на диэлектрических подложках плавленого кварца или стекла.
Исходные двухслойные металлические пленки Ta/Au толщиной 30 нм наносились на диэлектрические подложки методом магнетронного напыления. Нанопленка Та была необходима для обеспечения хорошей адгезии Au к подложке. В маске PMMA, сформированной методом электронной литографии, методом ионного травления в атмосфере аргона осуществлялось травление пленки золота до диэлектрической подложки. Ионное травление в атмосфере аргона осуществлялось при рабочем давлении 2×10-3 Torr и ускоряющем напряжении 1200 V. На рис. 1 показан фрагмент плазмонного интерферометра, соответствующий минимальной дозе экспонирования электронного резиста. Из приведенного изображения на рис. 1 видно, что минимальная ширина щели плазмонного интерферометра равна ~ 100 нм.
Кроме щелей на металлизированной поверхности диэлектрика формировались массивы золотых полосок с размерами элементов от нескольких десятков нм до 1 мкм, общей площадью до 200 х 200 мкм2 (рис. 2).
Контактное лицо
Публикации
Османов С.В., Ляшко С.Д., Михайлова Т.В., Скороходов Е.В., Каравайников А.В., Кудряшов А.Л., Недвига А.С., Долгов А.И., Гусев С.А., Бержанский В.Н., Шапошников А.Н., ОСОБЕНННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ МАГНИТОПЛАЗМОННЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ СТРУКТУРИРОВАННЫХ ФЕРРИТОВ-ГРАНАТОВ,В сборнике: Электротехника, Электротехнологии, Электротехнические Материалы и Компоненты. XIX Международная Конференция. Москва, 2022. С. 75-79.