Центр коллективного пользования
«Физика и технология микро- и наноструктур»

Наш телефон:
+7 (831) 417 94 55
Почтовая ссылкаckp@ipmras.ru
Главная   |   Карта сайта   |   Обратная связь   |   English version
Электронный микроскоп Supra 50

Электронный микроскоп Supra 50VP

Многоцелевой высокопроизводительный автоэмиссионный растровый электронный микроскоп (изготовитель ZEISS, Германия).

Контактное лицо

Внешняя ссылкаГусев Сергей Александрович

Почтовая ссылкаgusev@ipmras.ru

Фото

Технические характеристики

Пространственное разрешение

  • 1.5 нм при 15 кВ;
  • 2.1 нм при 1 кВ;
  • 5.0 нм при 0.2 кВ.

Диапазон увеличений

12х — 900 000х в режиме вторичных электронов

Источник электронов

Автоэмиссионный (термоэмиссионного типа).
Стабильность лучше, чем 0.2% в час.

Диапазон ускоряющих напряжений

100 В - 30 000 В

Диапазон рабочих токов

4 пА -20 нА

Диапазон низкого вакуума

1- 133 Па

Встроенные детекторы

  1. In-lens SE;
  2. Детектор вторичных электронов Эвернхарта-Торнли;
  3. ИК-камера для обзора рабочей камеры.

Рабочая камера

Диаметр 330 мм, высота 270 мм
Столик: X/Y = 130 мм, Z = 50 мм, наклон -3° ÷ +70°, вращение 360°

Опционально:

  • Подключение микроанализа: EDS, CL;
  • Подключение литографии

Вакуумная система

Полностью безмасляная

Дополнительные системы

Встроенная антивибрационная подвеска

Графика

С разрешением не хуже 3072×2304 пикселей

Проводимые измерения

Электронный микроскоп SUPRA 50VP позволяет выполнять многоплановые исследования по созданию и диагностике наноструктур с применением методов сканирующей электронной микроскопии и электронной литографии. Микроскоп оснащен комплектом аналитических модулей (детекторов и программное обеспечение), с помощью которых можно получать разнообразную качественную и количественную информацию об исследуемых объектах:

На микроскопе кроме аналитического оборудования установлен модуль и программное обеспечение для систем электронной литографии ELPHY PLUS (изготовитель Raith GmbH, Германия). Данное оборудование обеспечивает полное управление электронным зондом микроскопа с высокой временной стабильностью и высокой скоростью формирования рисунка. Минимальное время экспозиции и перемещения электронного пучка составляет 2 нс. С помощью этой системы возможно формирование в электронном резисте рисунков (масок или финишных структур) любой сложности на подложках размерами до 5×5 см. Минимальный размер элемента формируемого рисунка может иметь величину порядка 10 нм (определяется используемым электронным резистом).

Оборудование ЦКП