Услуги, предоставляемые ЦКП

Перечень услуг ЦКП (1,9 Мбайт)

Рентгено-дифракционные исследования

• Определение концентрации 2-х компонентных твердых растворов и уровня остаточных упругих напряжений в эпитаксиальных слоях Ge_xSi_1-x; In_xGa_1-xAs; GaAs_1-xP_x; InAs_1-xP_x; GaAs_1-xN_x и др.
• Определение параметров многослойных эпитаксиальных структур методом рентгеновской дифрактометрии. Толщина слоев, состав, период повторения.
• Измерение толщины тонких слоев и шероховатости поверхности по угловым спектрам рассеяния жесткого рентгеновского излучения.
• Определение параметров многослойных зеркал с помощью рентгеновской рефлектометрии. Толщина слоев, период повторения и дисперсия.
• Определение отклонения среза пластины от кристаллографической плоскости.
• Анализ эпитаксиальных слоев высокотемпературного сверхпроводника YBa₂Cu₃O_7-d.

Рентгено-оптические (спектральные) измерения

• Измерение толщины слоев и шероховатости границ многослойных структур по угловым и спектральным зависимостям коэффициента отражения мягкого рентгеновского излучения.
• Измерение коэффициентов отражения мягкого рентгеновского излучения с относительной точностью до 1%. для диапазона 0.6-200нм,

Аналитическая электронная микроскопия

• Диагностика структуры тонких объектов (толщиной до ~ 100 нм) с помощью методов дифракции быстрых электронов и просвечивающей электронной микроскопии
• Определение элементного состава объектов (количественные измерения), толщины и состава тонких пленок, построение карт распределения элементов и фаз с помощью методов энергодисперсионного рентгеновского микроанализа.
• Диагностика тонких объектов методом спектроскопии характеристических потерь электронов (включая количественные измерения толщины и состава тонких пленок).
• Морфометрический анализ субмикронных и нанометровых неоднородностей и частиц.
• Сканирующая электронная микроскопия разнообразных объектов (в том числе и непроводящих) без предварительной подготовки.
• Формирование структур на поверхности твердого тела с помощью методов электронной литографии.

Сканирующая зондовая микроскопия

• Измерение шероховатости поверхностей с негауссовым распределением по высотам.
• Определение шероховатости подложек.
• Реконструкция реального рельефа поверхности с учётом нелокальности взаимодействия зонд-поверхность в сканирующей туннельной микроскопии.

Оптические прецизионные измерения линейных размеров и толщин

• Интерферометрическое измерение физических параметров прозрачных слоев.
• Интерферометрическое восстановление трехмерного изображения поверхности.

Аналитические измерения методом вторично-ионной масс-спектрометрии

• Измерение профиля распределения состава по глубине образца с высокой чувствительностью и высоким разрешением методом вторично-ионной масс-спектрометрии.

Спектроскопия фотопроводимости, фото- и электролюминесценции

• Измерение транспортных свойств (осцилляции Шубникова — де Гааза) и оптических характеристик в терагерцовом диапазоне (фотопроводимость, циклотронный резонанс) гетероструктур при низких температурах.
• Измерение концентрации кислородсодержащих термодоноров с энергией ионизации 45-69 Мэв в кремнии методом абсорбционной ИК спектроскопии.
• Определение внешней квантовой эффективности в кремниевых светоизлучающих структурах, легированных эрбием.
• Определение электроактивных примесей в моноизотопном кремнии.
• Определение методом релаксационной спектроскопии электрически активных центров с глубокими уровнями в кремниевых светоизлучающих структурах, легированных эрбием.
• Профилирование электрически активных центров с глубокими уровнями в кремниевых структурах, легированных эрбием.
• Определение состава и ширины квантовых ям в полупроводниковых гетероструктурах методом фотолюминесценции.
• Стационарная и время-разрешающая спектроскопия полупроводниковых структур в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах длин волн 0,2-2 мкм.

Фурье-спектроскопия

• Исследование спектров пропускания, фотопроводимости, люминесценции и стимулированного излучения полупроводниковых структур, кристаллов и диэлектрических материалов методом Фурье-спектроскопии.

Диагностика электрофизических параметров полупроводниковых микроструктур и нестационарная спектроскопия глубоких уровней

• Определение профиля легирования полупроводников методом электрохимического C-V профилирования.
• Определение высоты барьера в гетероструктурах GaAs/AlGaAs методом измерения температурных зависимостей вольтамперных характеристик.

Исследования магнитных и сверхпроводящих свойств плёнок и наноструктур

• Измерение магнитооптических параметров магнитных пленок на основе эффектов Керра и Фарадея.
• Измерение остаточной намагниченности и распределения намагниченности в плоскости пленки, а также температурной и полевой зависимости остаточной намагниченности.
• Измерение вольт-амперных характеристик сверхпроводящих мостиков и джозефсоновских переходов, их зависимости от температуры, напряженности магнитного поля и мощности СВЧ излучения.
• Измерение нелинейных свойств тонких сверхпроводящих пленок и распределения нелинейных свойств и критической температуры в плоскости пленки бесконтактным методом.
• Измерение поверхностного СВЧ сопротивления сверхпроводящих плёнок.

Радиоспектроскопия миллиметрового и субмиллиметрового диапазона длин волн

• Спектральные исследования (абсорбция, фотопроводимость) и магнитоспектроскопия в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн.