Научные методики ЦКП

• Методика определения концентрации двухкомпонентных твердых растворов и уровня остаточных упругих напряжений в эпитаксиальных слоях Ge_xSi_1-x; In_xGa_1-xAs; GaAs_1-xP_x; InAs_1-xP_x; GaAs_1-xN_x и др. методом рентгеновской дифрактометрии
• Методика измерения толщины тонких слоев и шероховатости поверхности по угловым спектрам рассеяния жесткого рентгеновского излучения.
• Методика определения параметров многослойных зеркал (толщина слоев, период повторения и дисперсия) с помощью рентгеновской рефлектометрии.
• Методика определения отклонения среза пластины от кристаллографической плоскости методом рентгеновской дифрактометрии.
• Методика анализа эпитаксиальных слоев высокотемпературного сверхпроводника YBa₂Cu₃O_7-d методом рентгеновской дифрактометрии.
• Методика измерения толщины слоев и шероховатости границ многослойных структур по угловым и спектральным зависимостям коэффициента отражения мягкого рентгеновского излучения.
• Методика измерения коэффициентов отражения мягкого рентгеновского излучения с относительной точностью до 1% для диапазона 0,6-200 нм.
• Методика диагностики структуры тонких объектов (толщиной до ~100 нм) с помощью методов дифракции быстрых электронов и просвечивающей электронной микроскопии
• Методика определения элементного состава объектов (количественные измерения), построения карт распределения элементов и фаз с помощью методов энергодисперсионного рентгеновского микроанализа.
• Методика диагностики тонких объектов методом спектроскопии характеристических потерь электронов (включая количественные измерения толщины и состава тонких пленок).
• Методика морфометрического анализа субмикронных и нанометровых неоднородностей и частиц методом сканирующей электронной микроскопии.
• Методика сканирующей электронной микроскопии непроводящих объектов без предварительной подготовки.
• Методика формирования структур на поверхности твердого тела с помощью электронной литографии.
• Методика измерения шероховатости поверхностей с негауссовым распределением по высотам методом атомно-силовой микроскопии.
• Методика определения шероховатости подложек методом оптической интерферометрии белого света с помощью системы Talysurf CCI 2000.
• Методика реконструкции реального рельефа поверхности с учётом нелокальности взаимодействия зонд-поверхность в сканирующей туннельной микроскопии.
• Методика интерферометрических измерений физических параметров прозрачных слоев.
• Методика интерферометрического восстановления 3-х мерного изображения поверхности с помощью системы Talysurf CCI 2000.
• Методика измерения профиля распределения состава по глубине образца с высокой чувствительностью и высоким разрешением методом вторично-ионной масс-спектрометрии с помощью прибора TOF. SIMS-5.
• Методика измерения концентрации кислородсодержащих термодоноров с энергией ионизации 45-69 Мэв в кремнии методом абсорбционной ИК спектроскопии.
• Методика определения квантовой эффективности в кремниевых светоизлучающих структурах, легированных эрбием.
• Методика определения электроактивных примесей в моноизотопном кремнии.
• Методика определения методом релаксационной спектроскопии электрически активных центров с глубокими уровнями в кремниевых светоизлучающих структурах, легированных эрбием.
• Методика профилирования электрически активных центров с глубокими уровнями в кремниевых структурах, легированных эрбием.
• Методика определения состава и ширины квантовых ям в полупроводниковых гетероструктурах методом фотолюминесценции.
• Методика стационарной и время-разрешающей спектроскопии полупроводниковых структур в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах длин волн 0,2-2мкм.
• Методика исследования спектров пропускания, фотопроводимости, люминесценции и стимулированного излучения полупроводниковых структур, кристаллов и диэлектрических материалов методом Фурье-спектроскопии.
• Методика диагностики электрофизических параметров полупроводниковых микроструктур и нестационарной спектроскопии глубоких уровней методом электрохимического C-V профилирования.
• Методика определения высоты барьера в гетероструктурах GaAs/AlGaAs методом измерения температурных зависимостей вольтамперных характеристик.
• Методика измерения магнитооптических параметров магнитных пленок на основе эффектов Керра и Фарадея.
• Методика измерения остаточной намагниченности и распределения намагниченности в плоскости пленки, а также температурной и полевой зависимости остаточной намагниченности.
• Методика измерения вольт-амперных характеристик сверхпроводящих мостиков и джозефсоновских переходов, их зависимости от температуры, напряженности магнитного поля и мощности СВЧ излучения.
• Методика измерения нелинейных свойств тонких сверхпроводящих пленок и распределения нелинейных свойств и критической температуры в плоскости пленки бесконтактным методом.
• Методика измерения поверхностного СВЧ сопротивления сверхпроводящих плёнок.
• Методика спектральных исследованиий (абсорбция, фотопроводимость) и магнитоспектроскопических измерений в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн.
• Методика измерений концентрации электрически активных примесей фосфора, бора, алюминия и мышьяка в кремнии поликристаллическом методом абсорбционной инфракрасной спектроскопии
• Методика измерений концентрации оптически активных примесей кислорода и углерода в кремнии монокристаллическом методом абсорбционной инфракрасной спектроскопии