Сканирующий туннельный микроскоп LT UHV SPM – Multiprobe S/XA

Низкотемпературный сканирующий туннельный микроскоп LT UHV SPM - Multiprobe S/XA. Производство — Omicron.

Описание

Сканирующий туннельный микроскоп LT UHV SPM - Multiprobe S/XA позволяет изучать пространственное распределение электронных свойств поверхности проводящих образцов в нормальном и сверхпроводящем состоянии при температурах от комнатной до температуры жидкого гелия с атомарным разрешением в диапазоне смещений ±10V, с максимальным током 3.3А (333A), получать спектры туннельного тока (локальная ВАХ) и, в режиме QPlus AFM, измерять профиль поверхности непроводящих образцов с атомарным разрешением на поверхности кристалла NaCl(100). Базовый уровень вакуума 10-10 mBar. Диапазон грубого позиционирования (XYZ) 5×5×10mm. Диапазон сканирования (XYZ): 10×10×1.5mkm (RT), 4×4×0.4mkm (<78K), 1.8×1.8×0.2mkm (<5K). Возможны измерения в магнитном поле до 1500Гс.

Установка оборудована сверхвысоковакуумной подготовительной камерой, позволяющей создавать и исследовать морфологию поверхности и ее электронные свойства для широкого спектра веществ, в том числе, сверхпроводящие наноструктуры с «эффектом близости». Подготовительная камера установки оснащена устройствами тепловой и ионной очистки образцов, пятью электронно-лучевыми испарителями с мишенями Si, Ge, Nb, Pb, Co, Mo, и др., оборудована инфракрасным пирометром LumaSense Impac и установкой дифракции быстрых электронов RHEED RH 30 S (максимальное ускоряющее напряжение 30kV) для наблюдения реконструкции поверхности образцов, а также оперативного контроля процесса напыления и послойного роста ультратонких эпитаксиальных пленок.