Фурье-спектрометр высокого разрешения BOMEM DA3.36
Фурье-спектрометр позволяет проводить исследования спектров поглощения (стандартный вариант), спектров фото- и электролюминесценции, фотопроводимости и отражения с высоким спектральным разрешением (до 0,0024 см-1). Широкий набор приемников дает возможность выполнять эти исследования в дальнем, среднем и ближнем ИК диапазонах. Фурье-спектрометр укомплектован соответствующими источниками (в том числе лазерами) излучения ИК, видимого и УФ диапазона.
Контактное лицо
Андреев Борис Александрович
boris@ipmras.ru
Фото
Описание установки
- Фурье спектрометр BOMEM DA3.36 с набором широкополосных источников излучения и делителей луча, охватывающих диапазон 10-20000 см-1;
- набор чувствительных приемников излучения в диапазоне 10-20000 см-1 (охлаждаемый германиевый болометр: 10-370 см-1, DTGS: 10-700 см-1, Si:B: 350-800 см-1, CdHgTe: 800-5000 см-1, InSb: 3200-12000 см-1, Ge: 5900-12500 см-1, InGaAs: 6350-11000 см-1, Si: 8500-55000 см-1);
- гелиевый проточный криостат для оптических измерений в интервале температур 4.2-300 К, CF-104 «Oxford Instruments»;
- гелиевый и азотный криостаты с оптической системой для измерений фото- и электролюминесценции;
- Nd:YAG лазеры, длина волны излучения 532 нм;
- HeCd лазер, длина волны излучения 325 нм;
- охлаждаемые до гелиевых температур вставки для измерений спектров фотопроводимости;
- комплект электроники для регистрации спектров фотопроводимости, включая прецизионный емкостной мост для бесконтактного метода исследования фотопроводимости полупроводников.
Проводимые исследования
- исследования спектров фотопроводимости полупроводниковых гетероструктур (p-GaAs, n-GaAs, GaAs/InGaAs, InGaAs/GaAsP, GaAs/AlGaAs, Ge/GeSi) в дальней ИК области;
- исследования спектров поглощения и спектров фотопроводимости мелких примесей в монокристаллах полупроводников (Ge, Si, GaAs, SiGe, CdTe);
- исследования спектров фото- и электролюминесценции микро- и наноструктур на основе кремния, легированного редкоземельными элементами Si: Er/Si, SiGe: Er/Si, Si: Ho/Si;
- исследования спектров люминесценции наноструктур SiGe/Si Ge/Si, включая структуры с наноостровками Ge;измерения спектров поглощения и отражения полупроводников и полупроводниковых структур.
