Научные результаты

Создан комплекс для изготовления и аттестации формы оптических элементов и аберраций систем с субнанометровой точностью. Развитые методы коррекции позволяют доводить точность формы асферических поверхностей до субнанометровой с атомарно-гладкой поверхностью. Для аттестации разработан интерферометр с дифракционной волной сравнения с рекордными параметрами. Комплекс применяется при изготовлении объективов сверхвысокого разрешения для астрономии, проекционной нанолитографии и микроскопии в рентгеновском диапазоне длин волн. Нанометровые размеры пятна фокусировки позволят получить сверхсильные электромагнитные поля с интенсивностью до 10²⁴ Вт/см².

Авторы

М. М. Барышева, Е. Б. Клюенков, А. Е. Пестов, Н. Н. Салащенко, М. Н. Торопов, Н. И. Чхало

Разработана лабораторная технология получения кремния и германия в плазменном разряде смеси SiF4 или GeF4 и водорода. Впервые в одноступенчатом процессе из изотопно-обогащенных фторидов получены: слои нанокристаллического кремния с содержанием изотопа 28Si более 99,95% и германия с содержанием изотопа 74Ge — 86% и 72Ge — 50%. Эффективность конверсии фторидов в порошки достигает 56% для Si и более 75% для Ge, что позволило вырастить методом Чохральского образцы поликристаллического Si и монокристаллов изотопа 74Ge с обогащением 83%.

Авторы

В. И. Шашкин, Д. А. Пряхин, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Б. А. Андреев,
С. В. Голубев, П. Г. Сенников (ИПФ РАН),
H.-J. Pohl (VITCON Projektconsult GmbH, Germany),
Н. В. Абросимов (Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, Germany)

Установлены особенности смены механизма роста пленки Ge от двумерного к трехмерному в многослойных SiGe/Si(001) наногетероструктурах c напряженными слоями, важные при формировании сверхрешеток, период которых составляет единицы нанометров. Предосаждение напряженного, планарного SiGe слоя приводит к существенному уменьшению критической толщины двумерного роста пленки Ge, как при осаждении Ge непосредственно на SiGe слой, так и на тонкий, ненапряженный Si слой, сформированный между SiGe слоем и пленкой Ge.

Авторы

А. В. Новиков, Ю. Н. Дроздов, Д. Н. Лобанов, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов

Методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии выращены кремниевые диодные структуры с излучающими на длине волны 1.54 мкм центрами типа Er-1 (~3×10¹⁷ см^-3) с рекордно узкой линией электролюминесценции — 25 мкэВ при Т = 30 K. Оптическое усиление оценено как ~4 см^-1, что указывает на реальную возможность достижения лазерной генерации при токовой накачке.

Авторы

К. Е. Кудрявцев, В. Б. Шмагин, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник

Создан комплекс для изготовления и аттестации оптических элементов со среднеквадратичным отклонением формы поверхности от заданной менее, чем 1 нм и оптических систем с аберрацией волнового фронта на субнанометровом уровне. С использованием комплекса разработан и создан проекционный объектив для нанолитографа с рабочей длиной волны на длине волны 13,5 нм. Создание комплекса открывает возможности изготовления в России элементов рентгеновской оптики для микроскопии и астрономии свехвысокого разрешения.

Авторы

Е. Б. Клюенков, А. Е. Пестов, В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, М. Н. Торопов, Н. И. Чхало

Для создания и управления магнитным состоянием ферромагнитных наноструктур развиты методы нанолитографии и зондовой микроскопии, позволившие продемонстрировать эффективность использования системы ферромагнитных наночастиц как управляемого источника неоднородного магнитного поля, реализовать новые киральные распределения намагниченности в ферромагнитных наноструктурах и показать принципиальную возможность записи информации со сверхвысокой плотностью (~10¹¹ бит/см²).

Авторы

С. Н. Вдовичев, Б. А. Грибков, С. А. Гусев, О. Л. Ермолаева, А. Ю. Климов, В. Л. Миронов, В. В. Рогов, М. В. Сапожников, О. Г. Удалов.