Центр коллективного пользования
«Физика и технология микро- и наноструктур»

Наш телефон:
+7 (831) 417 94 55
Почтовая ссылкаckp@ipmras.ru
Главная   |   Карта сайта   |   Обратная связь   |   English version
Публикации

Основные публикации

2016

  1. В.Б.Шмагин, С. Н.Вдовичев, Е. Е.Морозова, А. В.Новиков, М. В.Шалеев, Д. В.Шенгуров, З. Ф.Красильник. Электролюминесценция кремниевых МОП структур с массивами наноостровков Ge(Si). ФТП 50, вып.11. с.1497-1500 (2016).
  2. В.В.Румянцев, М. А.Фадеев, С. В.Морозов, А. А.Дубинов, К. Е.Кудрявцев, А. М.Кадыков, И. В.Тузов, С. А.Дворецкий, Н. Н.Михайлов, В. И.Гавриленко, F. Teppe. Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe. ФТП 50, вып.12, c.1679-1684 (2016).
  3. К.В.Маремьянин, В. В.Румянцев, А. В.Иконников, Л. С.Бовкун, Е. Г.Чижевский, И. И.Засавицкий, В. И.Гавриленко. Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 46.5 мкм. ФТП 50, вып.12, c.1697-1700 (2016).
  4. А.Н.Яблонский, Р. Х.Жукавин, Н. А.Бекин, А. В.Новиков, Д. В.Юрасов, М. В.Шалеев. Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами. ФТП 50, вып.12, с.1629-1633 (2016).
  5. С.Н.Вдовичев, Ю. Н.Ноздрин, Е. Е.Пестов, П. А.Юнин, А. В.Самохвалов, Фазовые переходы в гибридных SFS структурах с тонкими сверхпроводящими слоями, Письма в ЖЭТФ 104, вып. 5, с.336 — 341 (2016).
  6. М.В.Зорина, С. Ю.Зуев, М. С.Михайленко, А. Е.Пестов, В. Н.Полковников, Н. Н.Салащенко, Н. И.Чхало. Повышение дифракционной эффективности решеток-эшелеттов за счет полировки поверхности штриха ионно-пучковым травлением. Письма в ЖТФ 42, вып. 16, с.34-40 (2016).
  7. М.Н.Дроздов Ю. Н.Дроздов, П. А.Юнин, П. И.Фоломин, А. Б.Гриценко, В. Л.Крюков, Е. В.Крюков. Экстремально глубокий послойный анализ атомного состава толстых (>100 mkm) слоев GaAs в составе мощных PIN-диодов методом вторично-ионной масс-спектрометрии. Письма в ЖТФ 42, вып. 15, с. 27-35 (2016).
  8. Е.А.Суровегина, Е. В.Демидов, М. Н.Дроздов, А. В.Мурель, О. И.Хрыкин, В. И.Шашкин, М. А.Лобаев, А. М.Горбачев, А. Л.Вихарев, С. А.Богданов, В. А.Исаев, А. Б.Мучников, В. В.Чернов, Д. Б.Радищев, Д. Е.Батлер. Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором. ФТП 50, вып. 12, с. 1595-1598 (2016).
  9. С.Н.Вдовичев, В. Ф.Вдовин, А. Ю.Климов, А. С.Мухин, Ю. Н.Ноздрин, В. В.Рогов, О. Г.Удалов. Охлаждаемые микроболометры сверхвысокочастотного диапазона на основе керметных пленок Si-Cr. Известия вузов. Радиофизика 59, вып.8-9, с.811-818 (2016).
  10. S.V.Morozov, V. V.Rumyantsev, A. M.Kadykov, A. A.Dubinov, K. E.Kudryavtsev, A. V.Antonov, N. N.Mikhailov, S. A.Dvoretskii, V. I. Gavrilenko. Long wavelength stimulated emission up to 9.5 µm from HgCdTe quantum well heterostructures. Appl. Phys. Lett. 108, p.092104 (2016).
  11. M.N.Drozdov, Y. N.Drozdov, A. Csik, A. V.Novikov, K. Vad, P. A.Yunin, D. V.Yurasov, S. F.Belykh, G. P.Gololobov, D. V.Suvorov, A. Tolstogouzov. Quantitative depth profiling of Si1-xGex structures by time-of-flight secondary ion mass spectrometry and secondary neutral mass spectrometry. Thin Solid Films 607, p.25-31 (2016).
  12. M.V.Sapozhnikov, S. N.Vdovichev, O. L.Ermolaeva, N. S.Gusev, A. A.Fraerman, S. A.Gusev and Yu. V.Petrov. Artificial dence lattice of magnetic bubbles. Applied Physics Letters 109, p.042406 (2016)
  13. S.A.Bogachev, N. I.Chkhalo, S. V.Kuzin, D. E.Pariev, V. N.Polkovnikov, N. N.Salashchenko, S. V.Shestov and S. Y. Zuev. Advanced materials for multilayer mirrors for extreme ultraviolet solar astronomy. Applied Optics. 55, № 9. p. 2126-2135 (2016).
  14. N.I.Chkhalo, M. N.Drozdov, E. B.Kluenkov, S. V.Kuzin, A. Ya.Lopatin, V. I.Luchin, N. N.Salashchenko, N. N.Tsybin, S. Yu.Zuev. Thin film multilayer filters for solar EUV telescopes. Applied Optics. 55, № 17, p. 4683-4690 (2016).
  15. A.B.Muchnikov, D. B.Radishev, A. L.Vikharev, A. M.Gorbachev, A. V.Mitenkin, M. N.Drozdov, Y. N.Drozdov, P. A. Yunin. Characterization of interfaces in mosaic CVD diamond crystal. J. Cryst. Growth 442, p.62-67 (2016).

2015

  1. В.Б. Шмагин, К. Е. Кудрявцев, А. В. Новиков, Д. В. Шенгуров, Д. В. Юрасов, З. Ф. Красильник. Применение техники годографа к диагностике диодных структур. Физика и Техника Полупроводников. 2015. Т.49. В.11. С.1492-1496.
  2. В.В. Травкин, Г. Л. Пахомов, М. Н. Дроздов, С. А. Королёв, А. И. Машин, А. А. Логунов. Характеристики диодных структур на основе фуллерена на полимерных и стеклянных подложках. Физика и техника полупроводников, том 49, вып. 1, стр. 138-141 (2015)
  3. П.А. Юнин, Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, С. А. Королёв, А. И. Охапкин, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин. Слои Si3N4 in situ пассивации транзисторных структур на основе GaN. Физика и техника полупроводников, том 49, вып. 11, стр. 1469-1472 (2015)
  4. Дроздов Ю. Н., Дроздов М. Н., Юнин П. А., Юрасов Д. В., Шалеев М. А., Новиков А. В. Исследование пластической релаксации в слоях GeSi на подложках Si (001) и (115), ФТП, 2015, Т. 49, № 1, с. 21-24
  5. Д.В. Юрасов, А. И. Бобров, В. М. Данильцев, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных слоев Ge/Si(001), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, ФТП, 2015, Т. 49, вып. 11, с. 1463-1468
  6. Жукавин Р. Х., Ковалевский К. А., Орлов М. Л., Цыпленков В. В., Бекин Н. А., Яблонский А. Н., Юнин П. А., Pavlov S. G., Abrosimov N. V., Hubers H.-W., Radamson H. H., Шастин В. Н. Спонтанное излучение терагерцового диапазона частот при оптическом возбуждении доноров в SiGe/Si и одноосно-деформированном объемном кремнии, ФТП, 2015, Т. 49, № 1, с. 15-20
  7. А. В. Антонов, М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, «Сегрегация Sb в Ge эпитаксиальных слоях и ее использование для селективного легирования структур на основе германия», ФТП 49(11), 1453-1457 (2015).
  8. Н.А. Байдакова, А. И. Бобров, М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, З. Ф. Красильник Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках ”напряженный кремний-на-изоляторе» с тонким слоем окисла, ФТП, 2015, Т. 49, вып. 8, с. 1129-1135
  9. А.Н. Яблонский, Н. А. Байдакова, А. В. Новиков, Д. Н. Лобанов, М. В. Шалеев, «Спектры возбуждения и кинетика фотолюминесценции в структурах с самоформирующимися Ge(Si) наноостровками», ФТП 49(11), 1458-1462 (2015).
  10. Б.Н. Звонков, О. В. Вихрова, М. В. Дорохин, И. Л. Калентьева, С. В. Морозов, Д. И. Крыжков, П. А. Юнин •Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAsSb, выращенных методом лазерного осаждения. Физика и техника полупроводников, том 49, вып. 1, стр. 112-116 (2015)
  11. В.Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин. Наблюдение прямозонной электролюминесценции из GaAs-структуры с квантовыми ямами Ge. Физика и техника полупроводников, том 49, вып. 2, стр. 175-178 (2015)
  12. Д.В. Козлов, С. В. Морозов, В. В. Румянцев, И. В. Тузов, К. Е. Кудрявцев, В. И. Гавриленко. Влияние прямого захвата дырок с испусканием оптических фононов на релаксацию примесной фотопроводимости в p-Si:B. Физика и техника полупроводников, том 49, вып. 2, стр. 192-195 (2015)
  13. В.В. Травкин, Г. Л. Пахомов, А. Ю. Лукьянов, П. А. Стужин. Тандемные фотовольтаические ячейки с композитным соединительным слоем. Физика и техника полупроводников, том 49, вып. 11, стр. 1501-1506 (2015)
  14. Д.В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, F. Teppe Примесная фотопроводимость узкозонных структур кадмий-ртуть-теллур. Физика и техника полупроводников, том 49, вып. 12, стр. 1654-1659 (2015)
  15. К.В. Маремьянин, А. В. Иконников, А. В. Антонов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, Л. С. Бовкун, К. Р. Умбеталиева, Е. Г. Чижевский, И. И. Засавицкий, В. И. Гавриленко. Длинноволновые инжекционные лазеры на основе твердого раствора Pb1-xSnxSe и их использование для спектроскопии твердого тела. Физика и техника полупроводников, том 49, вып. 12, стр. 1672-1675 (2015)
  16. П.В. Волков, А. В. Горюнов, А. Ю. Лукьянов, А. Д. Тертышник Измерение толщины полупроводниковых подложек в условиях нестационарной температуры с использованием низкокогерентного тандемного интерферометра // Письма в ЖТФ, 2015, том 41, вып. 3, с. 8-16
  17. В.Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Ю. Н. Бузынин, М. Н. Дроздов, А. Н. Бузынин, П. А. Юнин. Тонкие монокристаллические слои Ge на 2-дюймовых подложках Si // Письма в ЖТФ, 2015, том 41, вып. 1, с. 71-78
  18. Ю.Н.Бузынин, А. В. Водопьянов, С. В. Голубев, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. Ю. Лукьянов, Д. А. Мансфельд, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, П. А. Юнин Рост с высокими скоростями пленок InN на подложках фианита и сапфира методом металлоорганической газофазной эпитаксии с плазменной активацией азота, Письма в ЖТФ, 2015, Т. 41, вып. 6, с. 17-25
  19. О.И. Хрыкин, Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, П. А. Юнин, В. И. Шашкин, С. А. Богданов, А. Б. Мучников, А. Л. Вихарев, Д. Б. Радищев Монокристаллические слои GaN/AlN на CVD-алмазе, Письма в ЖТФ, 2015, Т. 41, вып. 19, с. 73-80
  20. Дроздов Ю. Н., Мастеров Д. В., Павлов С. А., Парафин А. Е., Юнин П. А. Особенности магнетронного напыления эпитаксиальных пленок YBCO для применений в устройствах сверхпроводниковой электроники, ЖТФ, 2015, т. 85, вып. 11, с. 109-116.
  21. А. А. Ахсахалян, А. Д. Ахсахалян, П. В. Волков, А. В. Горюнов, А. Ю. Лукьянов, Л. А. Суслов, А. Д. Тертышник. ПЕРСПЕКТИВЫ ПРИМЕНЕНИЯ МЕТОДА ТАНДЕМНОЙ НИЗКОКОГЕРЕНТНОЙ ИНТЕРФЕРОМЕТРИИ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ФОРМЫ АСФЕРИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2015, № 8, с. 16-19.
  22. Дроздов Ю. Н., Юнин П. А. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ПСЕВДОМОРФНОГО СЛОЯ НА ВИЦИНАЛЬНОЙ ПОДЛОЖКЕ В КАЧЕСТВЕ ТЕСТОВОГО ОБРАЗЦА ДЛЯ ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩЕЙ РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2015, № 12, с. 40-47.
  23. Вайнер Ю. А., Зорина М. В., Пестов А. Е., Салащенко Н. Н., Чхало Н. И., Ермаков В., Канорский С. И., Кузин С. В., Шестов С. В., Струля И. Л. ПОЛУЧЕНИЕ И МЕТРОЛОГИЯ ШЕРОХОВАТОСТИ СВЕРХГЛАДКИХ ОПТИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2015, № 8, с. 5-8.
  24. Зорина М. В., Нефедов И. М., Пестов А. Е., Салащенко Н. Н., Чурин С. А., Чхало Н. И. ПРЕЦИЗИОННАЯ АСФЕРИЗАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ИОННО-ПУЧКОВЫМ ТРАВЛЕНИЕМ. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2015, № 8, с. 9-15
  25. V.B. Shmagin, K. E. Kudryavtsev, D. V. Shengurov, Z. F. Krasilnik. Urbach absorption edge in epitaxial erbium-doped silicon. J. Appl. Phys. 117, 055303 (2015).
  26. D.V. Yurasov, A. V. Antonov, M. N. Drozdov, V. B. Schmagin, K. E. Spirin, A. V. Novikov, «Antimony segregation in Ge and formation of n-type selectively doped Ge films in molecular beam epitaxy”, J. Appl. Phys. 118, 145701-6 (2015).
  27. M.N. Drozdov, Y. N. Drozdov, N. I. Chkhalo, V. N. Polkovnikov, N. N. Salashchenko, P. A. Yunin, V. V. Roddatis, A. Tolstogouzov, The role of ultra-thin carbon barrier layers for fabrication of La/B4C interferential mirrors: Study by time-of-flight secondary ion mass spectrometry and high-resolution transmission electron microscopy, Thin Solid Films, 577 (2015) 11-16.
  28. P.A. Yunin, Yu. N. Drozdov, M. N. Drozdov A new approach to express ToF SIMS depth profiling, Surf. Interface Anal., 2015, V. 7, Issue 7, P. 771-776
  29. А.Y. Lukyanov, M. P. Bubnov, N. A. Skorodumova, V. V. Travkin, G. L. Pakhomov, S. A. Korolyov, P. A. Yunin, V. K. Cherkasov, Electrical conductivity of vacuum deposited films and crystals of redox-isomeric о-semiquinonato cobalt complexes, Solid State Sciences, 48 (2015) 13-18.
  30. A.B. Muchnikov, A. L. Vikharev, J. E. Butler, V. V. Chernov, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, Y. N. Drozdov, Homoepitaxial growth of CVD diamond after ICP pretreatment, physica status solidi (a), (2015) DOI 10.1002/pssa.201532171
  31. D. V. Yurasov, A. Yu. Luk’yanov, P. V. Volkov, A. V. Goryunov, A. D. Tertyshnik, M. N. Drozdov and A. V. Novikov Real-time measurement of substrate temperature in molecular beam epitaxy using low-coherence tandem interferometry // Journal of Crystal Growth, 413 (2015) 42-45
  32. P. V. Volkov, A. V. Goryunov, A. Yu. Lukyanov, A. I. Okhapkin, A. D. Tertyshnik, V. V. Travkin, and P. A. Yunin. Continuous monitoring of temperature and rate of plasma etching of semiconductor wafers, Appl. Phys. Lett 107, 111601 (2015)
  33. E A Vopilkin, A V Chiginev, L S Revin, A N Tropanova, I Yu Shuleshova, A I Okhapkin, A D Shovkun, A B Kulakov and A L Pankratov / Quick and reliable technology for fabrication of stand-alone BSCCO mesas // Superconductor Science and Technology, Volume 28, Number 4 (2015)

2014

  1. Юнин П. А., Дроздов Ю. Н., Дроздов М. Н., Новиков А. В., Юрасов Д. В., Захаров Н. Д., Королев С. А. «Использование связанных параметров в рентгенодифракционном анализе многослойных структур с учетом времени роста слоев», ЖТФ, 2014, т. 84, вып. 3, с. 94-98
  2. И.Л. Калентьева, О. В. Вихрова, Ю. А Данилов, М. В. Дорохин, Ю. Н. Дроздов, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин, П. А. Юнин «Влияние особенностей дизайна гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитной примесью на их гальваномагнитные и излучательные свойства», Известия РАН. Серия физическая, 2014, Т. 78, № 1, с. 26-31
  3. R.K. Zhukavin, N. A. Bekin, D. N. Lobanov, Y. N. Drozdov, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, D. A. Pryakhin, E. D. Chhalo, D. V. Kozlov, A. V. Novikov, V. N. Shastin, Coulomb centers assisted tunneling in a δ-doped triple barrier SiGe heterostructure, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 57 (2014) 42-46.
  4. B.A.Andreev, L. V. Gavrilenko, Yu. N. Drozdov, P. A. Yunin, D. A. Pryakhin, L. A. Mochalov, P. G. Sennikov, P. Bulkin, P. Roca I Cabarrocas, Raman spectra of amorphous isotope-enriched 74 Ge with low-strained Ge nanocrystals, Thin Solid Films, 2014, V. 552, Issue 3, P.46-49
  5. М.Н.Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов «Количественная калибровка и послойный анализ концентрации германия в гетероструктурах GexSi1-x/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии», ФТП, Т. 48, вып. 8, с. 1138-1146
  6. М.Н.Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Н. Д. Захаров, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов «Новый подход к диагностике наноостровков в гетероструктурах GexSi1-x/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии», Письма в ЖТФ, Т. 40, вып. 14, с. 36-46.
  7. P. A. Yunin, Yu. N. Drozdov, M. N. Drozdov, D. V. Yurasov «Recovery of SIMS depth profiles with account for nonstationary effects”, APPLIED SURFACE SCIENCE, Vol. 307, 33-41.
  8. Efficient long wavelength interband photoluminescence from HgCdTe epitaxial films at wavelengths up to 26μm S. V. Morozov, V. V. Rumyantsev, A. V. Antonov, K. V. Maremyanin, K. E. Kudryavtsev, L. V. Krasilnikova, N. N. Mikhailov,
    S. A. Dvoretskii and V. I. Gavrilenko. (Appl. Phys. Lett. 104, 072102 (2014))
  9. E.A.Vopilkin, A. Yu. Klimov, V. V. Rogov, D. A. Pryakhin, S. A. Gusev, E. V. Skorohodov, I. Yu. Shuleshova, V. I. Shashkin «MEMS tunneling sensor without the feedback loop» IEEE Sensors Journal, Vol. 14, No. 6, June 2014, pp. 1831-1835
  10. С.А. Гусев, С. Н. Вдовичев, М. Н. Дроздов, А. Ю. Климов, В. В. Рогов, Е. В. Скороходов. Нанолитография металлических структур с применением фуллеренов. ИЗВЕСТИЯ РАН. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ, 2014, том 78, № 1, с. 58-64
  11. D. V. Yurasov, M. N. Drozdov, N. D. Zakharov, A. V. Novikov «Segregation of Sb in SiGe heterostructures grown by molecular beam epitaxy: Interdependence of growth conditions and structure parameters”, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Vol. 396, 66-70Вайнер Ю. А., Зорина М. В., Салащенко Н. Н., Торопов М. Н., Чхало Н. И. Проблемы изучения шероховатости и формы сверхточных оптических поверхностей. Научно-технической журнал «Контенант», т. 13, №1, 2014, С. 25-34.
  12. С.А. Денисов, С. А. Матвеев, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров, Ю. Н. Дроздов, М. В. Степихова, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник «Гетероструктуры Si1-xGex /Si, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремний-на-сапфире» Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, вып. 3
  13. Morozov, S. V.; Rumyantsev, V. V.; Antonov, A. V.; et al. «Time resolved photoluminescence spectroscopy of narrow gap Hg1-xCdxTe/CdyHg1-yTe quantum well heterostructures”, APPLIED PHYSICS LETTERS, Vol. 105 (2), 022102
  14. Chkhalo, N. I.; Churin, S. A.; Pestov, A. E.; et al. «Roughness measurement and ion-beam polishing of super-smooth optical surfaces of fused quartz and optical ceramics”, OPTICS EXPRESS, Vol. 22 (17), 20094-20106
  15. Pakhomov, Georgy L.; Drozdov, Mikhail N.; Travkin, Vlad V.; et al. «Reversal of rectification in fullerene-based devices”, SYNTHETIC METALS, Vol. 195, 91-96
  16. К.Е. Кудрявцев, Д. И. Крыжков, Л. В. Красильникова, Д. В. Шенгуров, В. Б. Шмагин, Б. А. Андреев, З. Ф. Красильник. Сечение поглощения для перехода 4I15/2→4I13/2 ионов Er3+ в эпитаксиальных слоях Si: Er: O/SOI. Письма в ЖЭТФ, т.100, вып.12, 913
  17. Алешкин В. Я., Дикарева Н. В., Дубинов А. А., Денисов С. А., Красильник З. Ф., Кудрявцев К. Е., Матвеев С. А., Некоркин С. М., Шенгуров В. Г., «Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке” Письма в ЖЭТФ, т.100, вып.12, 900
  18. Tolstoguzov, A. B., Drozdov, M. N., Zeltser, I. A., Arushanov, K. A., Teodoro, O. M. N.D., «Ion-plasma treatment of reed switch contacts: A study by time-of-flight secondary ion mass spectrometry”, Journal of Analytical Chemistry, 69 (13), pp. 1245-1251.
  19. Е. Л. Панкратов, О. П. Гуськова, М. Н. Дроздов, Н. Д. Абросимова, В. М. Воротынцев. Аномальное распределение германия, имплантированного в диэлектрический слой структуры КНИ, после отжига радиационных дефектов. Физика и техника полупроводников, том 48, вып. 5, стр. 631-635 (2014).
  20. С. В. Гапонов, С. А. Гусев, Ю. Н. Дроздов, Д. В. Мастеров, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, Е. В. Скороходов, П. А. Юнин, Рост и особенности формирования микроструктуры пленок YBCO, получаемых методом магнетронного напыления на подложках из фианита. Журнал технической физики, том 84, вып. 10, стр. 68-72
  21. А. И. Бобров, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, М. В. Дорохин, Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, Б. Н. Звонков, Н. В. Малехонова, Е. Д. Павлова. Структурное совершенство и распределение примеси в магнитных полупроводниковых наногетеросистемах на основе GaAs. Известия РАН. Серия физическая, 2014, том 78, № 1, стр. 18-21
  22. А.А. Ахсахалян, А. Д. Ахсахалян, Л. А. Мазо, А. И. Харитонов// Изготовление рентгеновских зеркал в форме сектора фигур вращения// Известия РАН. Сер. физическая. 2014. Т.78. №1. С. 86-89

2013

  1. Spectra and kinetics of THz photoconductivity in narrow-gap Hg1-xCdxTe (x < 0.2) epitaxial films / V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, K. E. Kudryavtsev, A. V. Antonov, V. I. Gavrilenko, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov// Semicond. Sci. Technol. 28 125007 (2013).
  2. Послойный молекулярный анализ фуллерен-содержащих структур методом время-пролетной вторично-ионной масс-спектрометрии./ М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Г. Л. Пахомов, В. В. Травкин, П. А. Юнин// Письма в ЖТФ, 2013, т.39, в.24,с.45-54.
  3. Влияние быстрого термического отжига на параметры арсенидгаллиевого низкобарьерного диода с приповерхностным delta-легированием /А.В.Мурель, В. М. Данильцев, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, В. И. Шашкин// ФТП, 2013, том 47, выпуск 11, С.1481.
  4. Сегрегация сурьмы в напряженных SiGe-гетероструктурах, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии / М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов // ФТП, 2013, том 47, выпуск 11, С.1493.
  5. Cпектрокинетические свойства гетероструктур с квантовыми ямами на основе GaAsSb/InGaAs/GaAs, излучающих в области 1.0-1.2 мкм / С. В. Морозов, Д. И. Крыжков, В. Я. Алешкин, Б. Н. Звонков, О. И. Вихрова // ФТП, 2013, том 47, выпуск 11, С.1517.
  6. Ионно-плазменная обработка поверхности контактов герконов: исследования методом масс-спектрометрии вторичных ионов /А.Б. Толстогузов, М. Н. Дроздов, И. А. Зельцер, К. А. Арушанов, Орланду М Н Дуарте Теодору // МАСС СПЕКТРОМЕТРИЯ, 10 (3)' 2013, C.167.
  7. Исследование многослойных полупроводниковых SiGe-структур методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и масс-спектрометрии вторичных ионов. / П. А. Юнин, Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, Д. Н. Лобанов. // Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, вып. 12, с.1580-1585.
  8. Тонкоплёночные фотовольтаические ячейки на основе фталоцианина ванадила и фуллерена / Г. Л. Пахомов, В. В. Травкин, А. Ю. Лукьянов, П. И. Стахира, Н. В. Костив // Журнал технической физики 83 (2), 74 (2013);
  9. О влиянии микрокристаллической структуры на магнитные свойства ферромагнитных пленок и структур на их основе /С. А. Гусев, Д. А. Татарский, А. Ю. Климов, В. В. Рогов, Е. В. Скороходов, М. В. Сапожников, Б. А. Грибков, И. М. Нефедов, А. А. Фраерман // Физика твердого тела 55, 435 (2013).
  10. Свойства uетероструктур MnSb/GaAs / О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, М. В. Дорохин, Ю. Н. Дроздов, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, И. Л. Калентьева // Известия РАН. Серия физическая том 77, № 1, 2013, С. 79-81
  11. Эффекты магнитостатического взаимодействия в упорядоченном массиве ферромагнитных наночастиц на гексагональной решетке / Миронов В. Л., Ермолаева О. Л., Скороходов Е. В. // Известия РАН. Серия физическая 77 (1), 39 (2013).
  12. Формирование наноструктур на стенде эуф-литографа-мультипликатора. Первые результаты Д. Г. Волгунов, А. Е. Пестов, Н. Н. Салащенко, М. Н. Торопов, Н. И. Чхало // Известия РАН. Серия физическая, том 77, № 1, 2013, С. 4-8.
  13. Сравнительное тестирование свободно висящих многослойных фильтров Mo/ZrSi2 и Mo/NbSi2 по термостабильности / М. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, А. Я. Лопатин, В. И. Лучин, А. Е. Пестов, Н. Н. Салащенко, Н. Н. Цыбин, Н. И. Чхало, Л. А. Шмаенок // Известия РАН. Серия физическая, том 77, № 1, 2013, С. 94-96
  14. Многослойные зеркала La/B4C для спектральной области вблизи 6.7 нм / М. М. Барышева, Ю. А. Вайнер, С. Ю. Зуев, В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, С. Д. Стариков // Известия РАН. Серия физическая, том 77, № 1, 2013, С. 29-32
  15. Fiber-optic temperature sensor based on low-coherence interferometry without scanning / P. V. Volkov, A. V. Goryunov, A. Yu. Luk’yanov, A. D. Tertyshnik, N. A. Baidakova, I. A. Luk’yanov // Optik Volume 124, Issue 15, 2013, Pages 1982-1985.
  16. Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кислорода / Д. В. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, В. Г. Шенгуров, М. В. Степихова,
    М. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник // Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, вып. 3, C.410.
  17. Макет СВЧ-генератора с ВТСП дисковым резонатором в цепи обратной связи с низким уровнем фазового шума / Парафин А. Е., Мастеров Д. В., Павлов С. А., Кревский М. А., Коробков Г. М., Кревский И. М. // ПЖТФ, 2013, том 39, выпуск 23, C.63.
  18. Изменения элементного состава и микроструктуры мишени YBa2Cu3O7-delta / Д. В. Мастеров, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, П. А. Юнин // Письма в ЖТФ, 2013, том 39, вып. 19, C.41.
  19. Experimental shift allowance in the deconvolution of SIMS depth profiles / Yunin P. A., Drozdov Yu. N, Drozdov M. N. // Surf. Interface Anal. 45, 1228-1232 (2013)
  20. Raman spectra of amorphous isotope-enriched 74Ge with low-strained Ge nanocrystals / B. A. Andreev, L. V. Gavrilenko, Yu. N. Drozdov, P. A. Yunin, D. A. Pryakhin, L. A. Mochalov, P. G. Sennikov, P. Bulkin, P. Roca i Cabarrocas // Thin Solid Films 01/2014; 552:46-49. DOI:10.1016/j.tsf.2013.12.014

2012

  1. Yu.A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Kudrin, O. V. Vikhrova, S. M. Plankina, V. S. Dunaev, A. V. Nezhdanov, Yu. N. Drozdov. Room-temperature ferromagnetism in (III,Mn)Sb semiconductors. Solid State Phenomena, 2012, V. 190, pp 109-112.
  2. О.В. Вихрова, Ю. А. Данилов, М. Н. Дроздов, Б. Н. Звонков, И. Л. Калентьева. Диффузия марганца в InGaAs/GaAs квантово-размерных структурах. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2012, № 6, стр. 51-54
  3. Мастеров Д. В., Павлов С. А., Парафин А. Е., Колмакова И. В., Земляков К. Н., Туральчук П. А. Полосовые СВЧ-фильтры на высокотемпературных сверхпроводниках YBCO. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2012, №6, стр.1-3.
  4. Л.В. Гавриленко, В. М. Данильцев, М. Н. Дроздов, Д. И. Курицын, Л. Д. Молдавская. Кинетика фотолюминесценции структур с квантовыми точками InAs для ИК фотоприёмников. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2012, №6, стр.47-50.
  5. Н.Н. Салащенко, Н. И. Чхало. Коротковолновая оптика дифракционного качества: изучение, изготовление и применение. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2012, №6, стр. 3-12.
  6. O. G. Udalov, M. V. Sapozhnikov, E. A. Karashtin, B. A. Gribkov, S. A. Gusev, E. V. Skorohodov, V. V. Rogov, A. Yu. Klimov, and A. A. Fraerman. Nonreciprocal light diffraction by a lattice of magnetic vortices. Phys. Rev. B, 2012, V.86, p.094416.
  7. G. M. Genkin, Yu. N. Nozdrin, A. V. Okomel'kon, I. D. Tokman. Magnetization of a garnet film through a change in its multidomain structure under circularly polarized light. Phys. Rev. B, 2012, V. 86, p.024405.
  8. М.Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, В. Н. Полковников, С. Д. Стариков, П. А. Юнин. Новая альтернатива вторичным ионам CsM+ для послойного анализа многослойных металличеcких структур методом вторично-ионной масс-спектрометрии. Письма в ЖТФ, 2012, Т. 38, №24, стр.75-85.
  9. Ю.Н. Бузынин, М. Е. Викторов, А. В. Водопьянов, С. В. Голубев, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. Ю. Лукьянов, Д. А. Мансфельд, Е. В. Скороходов, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин. Рост пленок InN методом металлоорганической газофазной эпитаксии на подложках Al2O3 и иттрием стабилизированного циркония при активации азота в плазме, создаваемой излучением гиротрона в условиях электронно-циклотронного резонанса. Письма в ЖТФ, 2012, Т. 38, №24, стр. 86-94.
  10. . N. I. Polushkin, V. Oliveira, O. Conde, R. Vilar, Yu. N. Drozdov, A. Apolinario, A. Garcıa-Garcıa, J. M. Teixeira, G. N. Kakazei. Evidences for direct magnetic patterning via diffusive transformations using femtosecond laser interferometry. Appl. Phys. Lett., 2012, V. 101, No. 13, p. 132408.
  11. P.A. Stuzhin, M. S. Mikhailov, V. V. Travkin, E. Yu. Gudkov, G. L. Pakhomov. Multilayer photovoltaic structures based on tetrathiadiazoloporphyrazine/subphthalocyanine heterojunction MacroHeteroCycles. 2012, V. 5 No. 2, pp. 573-577.
  12. А.В. Мурель, А. В. Новиков, В. И. Шашкин, Д. В. Юрасов. Модификация высоты барьера в диодах Шоттки на кремнии при использовании сильнолегированных 3D- и 2D-слоёв. ФТП, 2012, Т.46, №11, стр. 1384-1387.
  13. Г.Л. Пахомов, В. В. Травкин, А. Н. Тропанова, Е. Ю. Гудков, Ю. Н. Дроздов. Прототипы фотовольтаических ячеек на основе субфталоцианина с нижним буферным слоем. ФТП, 2012, Т.46, №11, стр. 1408-1423.
  14. Ю.Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, В. М. Данильцев, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин. Анализ состава твердых растворов (Al,Ga)As методами вторично-ионной масс-спектрометрии и рентгеновской дифрактометрии. ФТП, 2012, Т.46, №11, стр.1419-1424.
  15. К.Е. Спирин, К. П. Калинин, С. С. Криштопенко, К. В. Маремьянин, В. И. Гавриленко, Ю. Г. Садофьев. Особенности остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами с туннельно-прозрачным барьером. ФТП, 2012, Т. 46, №11, стр. 1424-1429.
  16. Д.Н. Лобанов, А. В. Новиков, К. Е. Кудрявцев, М. В. Шалеев, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник, Н. Д. Захаров, P. Werner. Влияние толщины кремниевого разделительного слоя на электролюминесценцию многослойных структур с Ge(Si)/Si(001) самоформирующимися островками. ФТП, 2012, т.46, №11, стр. 1448-1452.
  17. П.В. Волков, А. В. Горюнов, А. Ю. Лукьянов, А. Д. Тертышник, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, В. Д. Кузьмин. Оптический мониторинг технологических параметров в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии. ФТП, 2012, Т.46, №12, стр. 1505-1509.
  18. П.А. Юнин, Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов. Способ учета параметра сдвига при восстановлении распределения состава полупроводниковых структур по глубине в методе ВИМС. ФТП, 2012, Т.46, №12, стр.1515-1520.
  19. Б.Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, И. Л. Калентьева, А. В. Кудрин. Получение и свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью. ФТП, 2012, Т.46, №12, стр.1527-1531.
  20. Н.В. Байдусь, А. А. Бирюков, Е. П. Додин, Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Ноздрин, А. А. Андронов. Гетероструктуры со сверхрешетками GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии: особенности роста, оптические и транспортные характеристики. ФТП, 2012, Т.46, №12, стр.1593-1596.
  21. Ю.Н. Дроздов, В. М. Данильцев, Е. А. Вопилкин. Опыт использования кристаллографии в задачах полупроводникового материаловедения. Журнал структурной химии, 2012, Т.53, Приложение стр. S39-S45.

2010

  1. Использование кластерных вторичных ионов Ge2-, Ge3- для повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом ВИМС./ М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов // ФТП, 44, 3, 418-421 (2010).
  2. Room-temperature ferromagnetic behaviour of InMnAs films grown by laser ablation technique./ Danilov Y., Drozdov Y., Kudrin A., Vikhrova O., Zvonkov B., Sapozhnikov M., Fetisov L., Semisalova A., Perov N // Journal of Physics: Conference Series V. 200, No.6, 062025, 4 pp. (2010).
  3. Влияние напряжений сжатия и растяжения в слоях GaMnAs на их магнитные свойства / Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Ю. Н. Дроздов, А. В. Кудрин, М. В. Сапожников // Физика твердого тела. — 2010. — Т.52, в.11. — С.2124-2127
  4. Изучение методом ВИМС влияния отжига на распределение элементов в свободновисящих многослойных пленках Al/Si и Zr/ZrSi2. // М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, В. И. Лучин, А. Я. Лопатин, Н. Н. Салащенко, Н. Н. Цыбин, Л. А. Шмаенок // Поверхность РСНИ. вып.5, С. 50-56 (2010).
  5. PECVD growth of crystalline silicon from its tetrafluoride. / P. Sennikov, D. Pryakhin, N. Abrosimov, B. Andreev, Yu. Drozdov, M. Drozdov, A. Kuznetsov, A. Murel, H.-J. Pohl, H. Riemann and V. Shashkin // Cryst. Res. Technol. 45, No. 9, 899 — 908 (2010).
  6. Plasma-enhanced chemical vapor deposition of 99.95% 28Si in form of nano- and polycrystals using silicon tetrafluoride precursor./ P. Sennikov, D. Pryakhin, B. Andreev, L. Gavrilenko, Yu. Drozdov, M. Drozdov, H.-J. Pohl, and V. Shashkin. Cryst. Res. Technol. 45, No. 9, 983 — 987 (2010).
  7. Количественный безэталонный анализ концентрации изотопов 28,29,30Si в кремнии методом ВИМС на установке TOF. SIMS-5. / М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Д. А. Пряхин, В. И. Шашкин, П. Г. Сенников, Х.-Й.Поль.// «Известия Российской Академии наук. Серия физическая». 2010. Т.74.№1.С.82-84.
  8. Использование кластерных первичных ионов Bi3+ для послойного анализа ВТСП пленок YBaCuO методом ВИМС. /М.Н.Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Д. В. Мастеров, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, Г. Л. Пахомов // «Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования». 2010, №7, с.53-57.
  9. Использование кластерных вторичных ионов для минимизации матричных эффектов при послойном анализе многослойных наноструктур La/B4C методом ВИМС. / М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, М. М. Барышева, В. Н. Полковников, Н. И. Чхало // Поверхность РСНИ. вып.10, С. 14-18 (2010).
  10. Анализ эпитаксиальных слоев GaN на сапфире с подслоями GaN и AlN. // Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин // Поверхность РСНИ. вып.12, С. 26-29 (2010)

2009

  1. Ferromagnetic semiconductor InMnAs layers grown by pulsed laser deposition on GaAs / Yu. A. Danilov, A. V. Kudrin, O. V. Vikhrova, B. N. Zvonkov, Yu. N. Drozdov, M. V. Sapozhnikov, S. Nicolodi, E. R. Zhiteytsev, N. M. Santos, M. C. Carmo, N. A. Sobole// J. Phys. D: Appl. Phys. — 2009. — V.42. — P.03500
  2. Competition between the barrier and injection mechanisms of nonlinearity of the current-voltage characteristic in Mott-barrier detector diodes /V.I. Shashkin and N. V. Vostoko // J. Appl. Phys., 106, 043702 (2009).
  3. Матричный детекторный приёмник плотной компоновки для систем видения миллиметрового диапазона длин волн. /В.Р. Закамов, А. В. Мурель, В. И. Шашкин // Контроль. Диагностика, №5 (131), с.15-20 (2009)
  4. Анизотропный пьезоэффект в микроэлектромеханических системах на основе эпитаксиальных гетероструктур Al0.5Ga0.5As/AlAs. / Е. А. Вопилкин, В. И. Шашкин, Ю. Н. Дроздов, В. М. Данильцев, А. Ю. Климов, В. В. Рогов, И. Ю. Шулешова // Журнал технической физики, т.79, в.10, с.75-79 (2009)
  5. Влияние параметров Ge(Si)/Si(001) самоформирующихся островков на их электролюминесценцию при комнатной температуре / Лобанов Д. Н., Новиков А. В., Кудрявцев К. Е., Шенгуров Д. В., Дроздов Ю. Н., Яблонский А. Н., Шмагин В. Б., Красильник З. Ф., Захаров Н. Д., Werner P // ФТП, 43,3, 332-336 (2009)
  6. Получение слоев нанокристаллического кремния плазмохимическим осаждением из газовой фазы тетрафторида кремния./ Сенников П. Г., Голубев С. В., Шашкин В. И., Пряхин Д. А., Дроздов М. Н., Андреев Б. А., Дроздов Ю. Н., Кузнецов А. С., Поль Х.-Й // ФТП, 43, 7, 1002 (2009).
  7. Получение слоев нанокристаллического кремния плазмохимическим осаждением из газовой фазы тетрафторида кремния Сенников П. Г., Голубев С. В., Шашкин В. И., Пряхин Д. А., Дроздов М. Н., Андреев Б. А., Дроздов Ю. Н., Кузнецов А. С., Поль Х.-Й // ПЖЭТФ, 89, 2, 80 (2009).
  8. Излучательные свойства квантовых ям GaAs/InGaAs с GaAs барьером, d-легированным атомами Mn /Вихрова О. В., Данилов Ю. А., Демина П. Б., Дорохин М. В., Звонков Б. Н., Прокофьева М. М., Дроздов Ю. Н., Сапожников М. В //Известия РАН. Серия Физическая. — 2009. — Т.73, в.1. — С.16-19 (2009)
  9. Локализованная сверхпроводимость в гибридных структурах сверхпроводник-ферромагнетик / А. Ю. Аладышкин, А. С. Мельников, Д. А. Рыжов, А. В. Самохвалов, А. А. Фраерман, В. Гилляйнс, А. В. Силанек и В. В. Мощалков // Известия РАН. Серия физическая, т. 73, стр. 6-10 (2009).
  10. Оптически активные центры в гетероструктурах Si/Si1-xGex: Er, связанные с ионами Er3+ / Красильникова Л. В., Степихова М. В., Байдакова Н. А., Дроздов Ю. Н., Красильник З. Ф., Чалков В. Ю., Шенгуров В. Г // ФТП 43, 7, 909-916 (2009)

2008

  1. Вольт-амперная характеристика контакта металл-полупроводник с барьером Мотта. / В. И. Шашкин, А. В. Мурель. // ФТТ, т.50, в.3, с.519-522 (2008).
  2. Свойства контактов Мотта с ультрамалым барьером металл-полупроводник./В.И. Шашкин, А. В. Мурель./ ФТТ, т.50, в.10, с.1883-1887 (2008).
  3. A nanomechanical system with piezoelectric actuation of a GaAs microbeam./ E. A. Vopilkin, V. I. Shashkin, Y. N. Drozdov, V. M. Daniltsev, S. A. Gusev and I. Yu. Shuleshova//. J. Micromech. Microeng., Vol. 18, No. 9, 095006 (5pp) (2008)
  4. Биморфный пьезоэлектрический двигатель для МЭМС на основе GaAs/Е.А. Вопилкин, В. И. Шашкин, Ю. Н. Дроздов, В. М. Данильцев, С. А. Гусев, И. Ю. Шулешов.// Нано- и Микросистемная техника, №10, с. 47-51.(2008)
  5. Источник сферической волны на основе зонда ближнепольного микроскопа./ А. Ю. Климов, В. В. Рогов, Н. Н. Салащенко, Н. И. Чхало // Известия РАН. Серия физическая. Том 72. №2. 2008. С. 221-223
  6. Коротковолновая проекционная литография/ Н. Н. Салащенко, Н. И. Чхало// Вестник Российской Академии Наук. Том 78. №5. 2008. С.13-20
  7. A source of a reference spherical wave based on a single mode optical fiber with a narrowed exit aperture /N.I. Chkhalo, A. Yu. Klimov, V. V. Rogov, N. N. Salashchenko, and M. N. Toropov// Rev. Sci. Instrum. V. 79. 033107. 2008
  8. Manufacturing and investigation of objective lens for ultrahigh resolution lithography facilities./ N. I. Chkhalo, E. B. Kluenkov, A. E. Pestov, D. G. Raskin, N. N. Salashchenko, M. N. Toropov //Proc. SPIE Vol. 7025, 702505 (2008)
  9. Примесная фотопроводимость в напряженных гетероструктурах p-InGaAs/GaAs. /В.Я.Алешкин, А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, Б. Н. Звонков, Д. В. Козлов // Письма ЖЭТФ, т.88, вып.3. с.229-233 (2008).
  10. Different regimes of nucleation of superconductivity in mesoscopic superconductor/fепоmаgпеt hybrids/ N. Schildermans, А. Yu. Aladyshk: in, А. У. Silhanek, J. van de Vondel, and У. У. Moshchalkov// Physical Review В, vol. 77, number 21,214519 (5 pages) (2008)

Результаты