Многокамерная высоковакуумная установка магнетронного распыления ATC 2200-VSPUTTERSYSTEM
Контактное лицо
Гусев Никита Сергеевич, ведущий технолог ИФМ РАН
+7 (831) 417−94−89 (+126)
Описание установки
Производитель - AJAInternational, Inc.
Установка имеет три вакуумных камеры: ростовая камера, загрузочная камера и камера окисления, с возможностью перемещения подложек между ними с помощью двух манипуляторов. В ростовой камере размещены одиннадцать 2” магнетронов с пневматическими затворами. Конфигурация системы магнетронов дает возможность одновременного распыления нескольких мишеней.Держатель подложки оснащен нагревателем, позволяющим нагревать подложки до 400 °C. Для обеспечения однородности формируемых слоев предусмотрена возможность вращения подложкодержателя с регулируемой частотой. Максимальный размер подложки – 100 мм.Установка оснащена шестью четырехканальными DC источниками и четырьмя RF источниками, один из которых имеет четыре канала, которые могут включаться последовательно. Для распыления металлических материалов используется магнетронный разряд постоянного тока, для распыления диэлектрических мишеней – высокочастотный разряд. Скорость роста пленок определяется мощностью разряда, величина которой может регулироваться в диапазоне от 5 до 750 Вт для постоянного и от 5 до 300 Вт для переменного тока. Постоянная мощность разряда обеспечивается автоматической системой стабилизации источников постоянного и переменного тока. В радиочастотных источниках организована автоматическая система согласования. Система подачи газов предусматривает возможность одновременной подачи в ростовую камеру трех газов: аргона, кислорода и азота. В загрузочной камере и камере окисления имеются высокочастотные источники ионов для обработки подложек в аргоновой и кислородной плазме. Вакуум в камерах создается турбомолекулярными насосами и форвакуумными насосами Рутса. Каждая камера оснащена системой автоматического регулирования давления. Управление технологическими процессами осуществляется с помощью компьютерного интерфейса.Результаты
- Туннельные магниторезистивные контакты с барьером Al2O3
- Туннельные магниторезистивные контакты CoFeB/MgO/CoFeB с магнетосопротивлением 200 % при комнатной температуре
- Внешний эффект Холла в туннельных контактах CoFeB/MgO/Pt(Ta)
- Многослойные структуры с обменным усилением магнитокалорического эффекта
- Структуры сверхпроводник/нормальный металл с эффектом близости
- Спинтронные терагерцовые эмиттеры
Технические характеристики
- Предельный вакуум: 4·10-8 Торр;
- Точность поддержания динамического рабочего давления 5·10-5 Торр;
- Максимальная температура подложки: 400°С;
- Максимальный диаметр подложки: 100 мм;
- Неоднородность толщины покрытия по площади 100 мм пластины: менее 2%;
- Максимальное количество слоев в структуре: 11,
- Подаваемые газы: аргон, кислород, азот;
- Возможность формирования оксидов и нитридов методом реактивного магнетронного распыления;
- Возможность изготовления многокомпонентных сплавов путем сораспыления нескольких мишеней;
- Максимальная мощность разряда: DC – 750 W, RF – 300 W;
- Минимальная толщина слоев: менее 1 нм;
