Многокамерная высоковакуумная установка магнетронного распыления ATC 2200-VSPUTTERSYSTEM

Многокамерная высоковакуумная установка магнетронного распыления ATC 2200-VSPUTTERSYSTEM
Многокамерная высоковакуумная установка магнетронного распыления ATC 2200-VSPUTTERSYSTEM

Контактное лицо

Пашенькин Игорь Юрьевич, н.с. ИФМ РАН

pashenkin@ipmras.ru

+7 (831) 417−94−89 (+126)

Гусев Никита Сергеевич, ведущий технолог ИФМ РАН

gusevns@ipmras.ru

+7 (831) 417−94−89 (+126)

MainTechnologist

Описание установки

Производитель - AJAInternational, Inc.

Установка имеет три вакуумных камеры: ростовая камера, загрузочная камера и камера окисления, с возможностью перемещения подложек между ними с помощью двух манипуляторов. В ростовой камере размещены одиннадцать 2” магнетронов с пневматическими затворами. Конфигурация системы магнетронов дает возможность одновременного распыления нескольких мишеней.Держатель подложки оснащен нагревателем, позволяющим нагревать подложки до 400 °C. Для обеспечения однородности формируемых слоев предусмотрена возможность вращения подложкодержателя с регулируемой частотой. Максимальный размер подложки – 100 мм.Установка оснащена шестью четырехканальными DC источниками и четырьмя RF источниками, один из которых имеет четыре канала, которые могут включаться последовательно. Для распыления металлических материалов используется магнетронный разряд постоянного тока, для распыления диэлектрических мишеней – высокочастотный разряд. Скорость роста пленок определяется мощностью разряда, величина которой может регулироваться в диапазоне от 5 до 750 Вт для постоянного и от 5 до 300 Вт для переменного тока. Постоянная мощность разряда обеспечивается автоматической системой стабилизации источников постоянного и переменного тока. В радиочастотных источниках организована автоматическая система согласования. Система подачи газов предусматривает возможность одновременной подачи в ростовую камеру трех газов: аргона, кислорода и азота. В загрузочной камере и камере окисления имеются высокочастотные источники ионов для обработки подложек в аргоновой и кислородной плазме. Вакуум в камерах создается турбомолекулярными насосами и форвакуумными насосами Рутса. Каждая камера оснащена системой автоматического регулирования давления. Управление технологическими процессами осуществляется с помощью компьютерного интерфейса.

Технические характеристики

  • Предельный вакуум: 4·10-8 Торр; 
  • Точность поддержания динамического рабочего давления 5·10-5 Торр; 
  • Максимальная температура подложки: 400°С; 
  • Максимальный диаметр подложки: 100 мм; 
  • Неоднородность толщины покрытия по площади 100 мм пластины: менее 2%; 
  • Максимальное количество слоев в структуре: 11,  
  • Подаваемые газы: аргон, кислород, азот; 
  • Возможность формирования оксидов и нитридов методом реактивного магнетронного распыления; 
  • Возможность изготовления многокомпонентных сплавов путем сораспыления нескольких мишеней; 
  • Максимальная мощность разряда: DC – 750 W, RF – 300 W; 
  • Минимальная толщина слоев: менее 1 нм;

Возврат к списку