Подготовка кадров

На базе современного научного оборудования ЦКП осуществляется подготовка специалистов и кадров высшей квалификации (студентов, аспирантов, докторантов).

2012

Студенты

1. Кремлев К. В. Морфология и закономерности роста массивов из радиально ориентированных многостенных углеродных нанотрубок, полученных методом MOCVD.
2. Доронин М. С. Исследование вихревых и антивихревых состояний намагниченности в ферро-магнитных наноструктурах методом магнитно-силовой микроскопии.
3. Дунаев В. С. Изучение влияния диффузии и упругих напряжений на фазовый состав и магнитные свойства нанослоев полупроводников А3В5, сильнолегированных марганцем.
4. Королев С. А. Расчет акцепторных состояний дырки в квантово-каскадной структуре Ge/Ge_1-xSi_x.
5. Бударин Л. И. Электрофизические свойства наноразмерных структур на основе кремниевых сплавов Гейслера и других ферромагнетиков.
6. Путилов А. В. Исследование транспортных свойств сверхпроводящих мостиков.
7. Юнин П. А. Послойный анализ методом ВИМС дельта-легированных полупроводниковых структур Si и GaAs.
8. Гусев Н. С. Оптические и магнитооптические свойства двумерных периодических ферромагнитных наноструктур.

2011

Студенты

1. Рогачев Д. Н. Развитие методики аттестации сверхгладких поверхностей рентгенооптическими методами.
2. Скрыль А. С. Разработка и аттестация оптичеcких элементов для стенда проекционной нанолитогафии с рабочей длиной волны λ=13,5 нм
3. Храмков Р. А. Изучение шероховатости поверхности полированного плавленого кварца и кристаллического кремния [100] при ионно-пучковом травлении.
4. Татарский Д. А. Усиление магнитооптических эффектов в многослойных структурах в рентгеновском диапазоне длин волн.
5. Тропанова А. Н. Получение и исследование прототипов тонкоплёночных органических полевых транзисторов с полимерным диэлектриком.
6. Смирнов А. А. Зарождение сверхпроводимости в гибридных «магнитомягких» структурах.
7. Федосеев Г. В. Самосогласованное распределение сверхпроводящей щели для вихря в мезоскопическом сверхпроводнике.
8. Румянцев В. В. Релаксация примесной фотопроводимости в объемных p-Ge, p-Si и гетероструктурах на основе Ge/Si.